參數資料
型號: IS64C6416AL-15TA3
廠商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類: DRAM
英文描述: 64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
中文描述: 64K X 16 STANDARD SRAM, 15 ns, PDSO44
封裝: PLASTIC, TSOP2-44
文件頁數: 12/17頁
文件大?。?/td> 92K
代理商: IS64C6416AL-15TA3
12
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. A
01/17/05
ISSI
IS61C6416AL
IS62C6416AL
IS64C6416AL
IS65C6416AL
DATA RETENTION SWITCHING CHARACTERISTICS
Symbol
V
DR
Parameter
Test Condition
Min.
Max.
Unit
V
DD
for Data Retention
See Data Retention Waveform
V
DD
= 2.0V,
CE
V
DD
– 0.2V
V
IN
V
DD
– 0.2V, or V
IN
V
SS
+ 0.2V
2.0
5.5
V
I
DR
Data Retention Current
Com.
Ind.
Auto.
typ.
(1)
90
100
125
μA
50
t
SDR
t
RDR
Data Retention Setup Time
See Data Retention Waveform
0
ns
Recovery Time
See Data Retention Waveform
t
RC
ns
Note:
1. Typical Values are measured at V
DD
= 5V, T
A
= 25
o
C and not 100% tested.
DATA RETENTION WAVEFORM (
CE
Controlled)
VDD
CE
VDD
- 0.2V
t
SDR
t
RDR
V
DR
CE
GND
4.5V
2.2V
Data Retention Mode
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PDF描述
IS65C6416AL 64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
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