參數(shù)資料
型號(hào)： IS64WV20488BLL
廠商： Integrated Silicon Solution, Inc.
英文描述： 2M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
中文描述： 200萬× 8高速CMOS靜態(tài)RAM
文件頁數(shù)： 9/20頁
文件大?。?/td> 126K
代理商： IS64WV20488BLL
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. 00C
01/09/06
9
ISSI
IS61WV20488ALL
IS61WV20488BLL
IS64WV20488BLL
READ CYCLE SWITCHING CHARACTERISTICS
(1)
(Over Operating Range)
-20 ns
Symbol
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
DOE
t
HZOE
(2)
t
LZOE
(2)
t
HZCE
(2
t
LZCE
(2)
t
PU
t
PD
Parameter
Min.
Max.
Unit
Read Cycle Time
20
—
ns
Address Access Time
—
20
ns
Output Hold Time
2.5
—
ns
CE
Access Time
—
20
ns
OE
Access Time
—
8
ns
OE
to High-Z Output
0
8
ns
OE
to Low-Z Output
0
—
ns
CE
to High-Z Output
0
8
ns
CE
to Low-Z Output
3
—
ns
Power Up Time
0
—
ns
Power Down Time
—
20
ns
Notes:
1. Test conditions assume signal transition times of 1.5 ns or less, timing reference levels of 1.25V, input pulse levels of 0.4V to
V
DD
-0.3V and output loading specified in Figure 1.
2. Tested with the load in Figure 2. Transition is measured ±500 mV from steady-state voltage. Not 100% tested.
3. Not 100% tested.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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IS64WV20488BLL-10TA3 2M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
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IS64WV3216BLL-15BA3 32K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
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參數(shù)描述
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