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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS65C256AL-25TLA3 |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| 中文描述： | 32K X 8 STANDARD SRAM, 25 ns, PDSO28 |
| 封裝： | LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-28 |
| 文件頁數(shù)： | 9/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 101K |
| 代理商： | IS65C256AL-25TLA3 |
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. A
03/17/06
9
ISSI
IS65C256AL
IS62C256AL
DATA RETENTION SWITCHING CHARACTERISTICS
Symbol
V
DR
Parameter
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
DD
for Data Retention
See Data Retention Waveform
V
DD
= 2.0V,
CE
≥
V
DD
– 0.2V
V
IN
≥
V
DD
– 0.2V, or V
IN
≤
V
SS
+ 0.2V
2.0
5.5
V
I
DR
Data Retention Current
Com.
Ind.
Auto.
—
—
—
—
—
—
15
20
50
μA
t
SDR
t
RDR
Data Retention Setup Time See Data Retention Waveform
0
—
ns
Recovery Time
See Data Retention Waveform
t
RC
—
ns
Note:
1. Typical Values are measured at V
DD
= 5V, T
A
= 25
o
C and not 100% tested.
DATA RETENTION WAVEFORM (
CE
Controlled)
VDD
CE
≥
VDD
- 0.2V
t
SDR
t
RDR
V
DR
CE
GND
4.5V
2.2V
Data Retention Mode
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS65C256AL-25UA3 | 32K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS65C256AL-25ULA3 | 32K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS65C256AL-45TA3 | 32K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS65C256AL-45TLA3 | 32K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS65C256AL-45UA3 | 32K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IS65C256AL-25UA3 | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:32K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS65C256AL-25ULA3 | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256K 32Kx8 25ns 5V Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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| IS65C256AL-45TA3 | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:32K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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