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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS65C6416AL-45KA3 |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| 中文描述： | 64K X 16 STANDARD SRAM, 45 ns, PDSO44 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, MS-027, SOJ-44 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/17頁(yè) |
| 文件大小： | 92K |
| 代理商： | IS65C6416AL-45KA3 |
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4
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. A
01/17/05
ISSI
IS61C6416AL
IS62C6416AL
IS64C6416AL
IS65C6416AL
CAPACITANCE
(1,2)
Symbol
Parameter
Conditions
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0V
5
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0V
7
pF
Notes:
1. Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.
2. Test conditions: T
A
= 25°C, f = 1 MHz, V
DD
= 5.0V.
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Over Operating Range)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Max.
Unit
V
OH
Output HIGH Voltage
V
DD
= Min., I
OH
= –4.0 mA
2.4
—
V
V
OL
Output LOW Voltage
V
DD
= Min., I
OL
= 8.0 mA
—
0.4
V
V
IH
Input HIGH Voltage
2.2
V
DD
+ 0.5
V
V
IL
Input LOW Voltage
(1)
–0.3
0.8
V
I
LI
Input Leakage
GND
≤
V
IN
≤
V
DD
Com.
Ind.
Auto.
–1
–2
–5
1
2
5
μA
I
LO
Output Leakage
GND
≤
V
OUT
≤
V
DD
Outputs Disabled
Com.
Ind.
Auto.
–1
–2
–5
1
2
5
μA
Note:
1. V
IL
= –3.0V for pulse width less than 10 ns.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS65C6416AL-45TA3 | 64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS62C6416AL-35K | 64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS62C6416AL-35KI | 64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS62C6416AL-35T | 64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS62C6416AL-35TI | 64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS65C6416AL-45TA3 | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS65K | 制造商:IDEC CORPORATION 功能描述:SENS.IND. 10-30VDC PNP NC |
| IS65K1 | 制造商:IDEC CORPORATION 功能描述:SENS.IND. 10-30VDC PNP NC |
| IS65K1S | 制造商:IDEC CORPORATION 功能描述:SENS.IND. 10-30VDC PNP NC |
| IS65KS | 制造商:IDEC CORPORATION 功能描述:SENS.IND. 10-30VDC PNP NC |
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