參數(shù)資料
型號： IS65LV256AL-45TA3
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
中文描述： 32K X 8 STANDARD SRAM, 45 ns, PDSO28
封裝： 0.450 MM, PLASTIC, TSOP1-28
文件頁數(shù)： 8/14頁
文件大?。?/td> 113K
代理商： IS65LV256AL-45TA3
IS65LV256AL
IS62LV256AL
ISSI
8
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. A
03/17/06
Notes:
1. The internal write time is defined by the overlap of
CE
LOW and
WE
LOW. All signals must be in valid states to initiate a Write,
but any one can go inactive to terminate the Write. The Data Input Setup and Hold timing are referenced to the rising or falling
edge of the signal that terminates the Write.
2. I/O will assume the High-Z state if
OE
≥
V
IH
.
HIGH-Z
DATA UNDEFINED
DATA-IN VALID
t
WC
t
SCE
t
SA
t
HA
t
PWE
t
AW
t
HZWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
ADDRESS
D
IN
CE
WE
D
OUT
WRITE CYCLE NO. 2 (
CE
Controlled)
(1,2)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS65LV256AL-45TLA3 32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
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IS65WV12816ALL 128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS65WV12816BLL 128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
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參數(shù)描述
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IS65LV256AL-45TLA3-TR 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 256K (32Kx8) 45ns 5V Async 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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