參數(shù)資料
型號： IS65WV12816ALL
廠商： Integrated Silicon Solution, Inc.
英文描述： 128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
中文描述： 128K的× 16低電壓，超低功耗的CMOS靜態(tài)RAM
文件頁數(shù)： 5/19頁
文件大?。?/td> 136K
代理商： IS65WV12816ALL
IS65WV12816ALL, IS65WV12816BLL
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. 00E
06/08/06
5
IS65WV12816ALL, POWER SUPPLY CHARACTERISTICS
(1)
(Over Operating Range)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Options
Max.
-70 ns
15
20
7
7
0.6
0.6
Unit
I
CC
Vdd Dynamic Operating
Supply Current
Operating Supply
Current
TTL Standby Current
(TTL Inputs)
V
DD
= Max.,
I
OUT
= 0 mA, f = f
MAX
V
DD
= Max.,
I
OUT
= 0 mA, f = 0
V
DD
= Max.,
V
IN
= V
IH
or V
IL
CS1
= V
IH
, CS2 = V
IL
,
f = 1 MH
Z
OR
A, A1
A2, A3
A, A1
A2, A3
A, A1
A2, A3
mA
I
CC
1
mA
I
SB
1
mA
ULB Control
V
DD
= Max., V
IN
= V
IH
or V
IL
CS1
= V
IL
, f = 0,
UB
= V
IH
,
LB
= V
IH
V
DD
= Max.,
CS1
≥
V
DD
– 0.2V,
CS2
≤
0.2V,
V
IN
≥
V
DD
– 0.2V, or
V
IN
≤
0.2V, f = 0
OR
I
SB
2
CMOS Standby
Current (CMOS Inputs)
A, A1
15
20
50
μA
A2
A3
ULB Control
V
DD
= Max.,
CS1
= V
IL
, CS2=V
IH
V
IN
≤
0.2V, f = 0;
UB
/
LB
= V
DD
– 0.2V
IS65WV12816BLL, POWER SUPPLY CHARACTERISTICS
(1)
(Over Operating Range)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Options
Max.
-55 ns
25
30
7
7
0.6
0.6
Max.
-70 ns
20
25
7
7
0.6
0.6
Unit
I
CC
Vdd Dynamic Operating
Supply Current
Operating Supply
Current
TTL Standby Current
(TTL Inputs)
V
DD
= Max.,
I
OUT
= 0 mA, f = f
MAX
V
DD
= Max.,
I
OUT
= 0 mA, f = 0
V
DD
= Max.,
V
IN
= V
IH
or V
IL
CS1
= V
IH
, CS2 = V
IL
,
f = 1 MH
Z
OR
A, A1
A2, A3
A, A1
A2, A3
A, A1
A2, A3
mA
I
CC
1
mA
I
SB
1
mA
ULB Control
V
DD
= Max., V
IN
= V
IH
or V
IL
CS1
= V
IL
, f = 0,
UB
= V
IH
,
LB
= V
IH
V
DD
= Max.,
CS1
≥
V
DD
– 0.2V,
CS2
≤
0.2V,
V
IN
≥
V
DD
– 0.2V, or
V
IN
≤
0.2V, f = 0
OR
I
SB
2
CMOS Standby
Current (CMOS Inputs)
A, A1
15
25
65
15
25
65
μA
A2
A3
ULB Control
V
DD
= Max.,
CS1
= V
IL
, CS2=V
IH
V
IN
≤
0.2V, f = 0;
UB
/
LB
= V
DD
– 0.2V
Note:
1. At f = f
MAX
, address and data inputs are cycling at the maximum frequency, f = 0 means no input lines change.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS65WV12816BLL 128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS65WV25616ALL 256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM
IS65WV25616ALL-70TA1 256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM
IS65WV25616ALL-70TA2 256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM
IS65WV25616ALL-70TA3 256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS65WV12816BLL 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS65WV12816BLL-55BLA3 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2M (128Kx16) 55ns Async 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS65WV12816BLL-55BLA3-TR 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2M (128Kx16) 55ns Async 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS65WV12816BLL-55TA3 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2M (128Kx16) 55ns Async 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS65WV12816BLL-55TA3-TR 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2M (128Kx16) 55ns Async 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*