Voltage on VDD, V
參數(shù)資料
型號(hào)： ISL1209IU10Z-TK
廠商： Intersil
文件頁(yè)數(shù)： 18/24頁(yè)
文件大小： 0K
描述： IC RTC LP SRAM EEPROM 10-MSOP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
類型： 時(shí)間事件記錄器
特點(diǎn)： 警報(bào)器，閏年，SRAM
存儲(chǔ)容量： 2B
時(shí)間格式： HH:MM:SS（12/24 小時(shí)）
數(shù)據(jù)格式： YY-MM-DD-dd
接口： I²C，2 線串口
電源電壓： 2.7 V ~ 5.5 V
電壓 - 電源，電池： 1.8 V ~ 5.5 V
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 10-MSOP
包裝： 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁(yè)面： 1245 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱： ISL1209IU10Z-TKDKR
3
FN6109.4
October 17, 2006
Absolute Maximum Ratings
Voltage on VDD, VBAT, SCL, SDA, and IRQ pins
(respect to ground) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.5V to 7.0V
Voltage on X1 and X2 pins
(respect to ground) . . . . . . . . . . . . -0.5V to VDD + 0.5 (VDD Mode)
-0.5V to VBAT + 0.5 (VBAT Mode)
Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65°C to +150°C
Lead Temperature (Soldering, 10s) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300°C
ESD Rating (Human Body Model) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . >±2kV
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the
device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.
DC Operating Characteristics – RTC Test Conditions: VDD = +2.7 to +5.5V, Temperature = -40°C to +85°C, unless otherwise stated.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
(Note 4)
MAX
UNITS
NOTES
VDD
Main Power Supply
2.7
5.5
V
VBAT
Battery Supply Voltage
1.8
5.5
V
IDD1
Supply Current
VDD = 5V
2
6
A
1, 2
VDD = 3V
1.2
4
A
IDD2
Supply Current With I2C Active
VDD = 5V
40
120
A
1, 2
IDD3
Supply Current (Low Power Mode)
VDD = 5V, LPMODE = 1
1.4
5
A
1
IBAT
Battery Supply Current
VBAT = 3V
400
950
nA
1
ILI
Input Leakage Current on SCL
100
nA
ILO
I/O Leakage Current on SDA
100
nA
VTRIP
VBAT Mode Threshold
1.6
2.2
2.6
V
VTRIPHYS
VTRIP Hysteresis
10
30
60
mV
VBATHYS
VBAT Hysteresis
15
50
100
mV
EVIN
VIL
-0.3
0.3 x
VDD
V
VIH
0.7 x
VDD
VDD +
0.3
V
Hysteresis
0.05 x
VDD
V
IEVPU
EVIN Pullup Current
VSUP = 3V
1.5
A
5
IRQ/FOUT and EVDET
VOL
Output Low Voltage
VDD = 5V, IOL = 3mA
0.4
V
VDD = 2.7V, IOL = 1mA
0.4
V
Power-Down Timing Test Conditions: V
DD = +2.7 to +5.5V, Temperature = -40°C to +85°C, unless otherwise stated.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
(Note 4)
MAX
UNITS
NOTES
VDD SR-
VDD Negative Slew rate
10
V/ms
3
ISL1209
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VI-J3Z-EY-F4 CONVERTER MOD DC/DC 2V 20W
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VI-J11-MZ CONVERTER MOD DC/DC 12V 25W
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ISL1218 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:Low Power RTC with Battery Backed SRAM
ISL1218IBZ 功能描述:實(shí)時(shí)時(shí)鐘 REAL TIME CLKRTC IN 8LD RoHS:否 制造商:Microchip Technology 功能:Clock, Calendar. Alarm RTC 總線接口:I2C 日期格式:DW:DM:M:Y 時(shí)間格式:HH:MM:SS RTC 存儲(chǔ)容量:64 B 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:1.8 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:PDIP-8 封裝:Tube
ISL1218IBZ-T 功能描述:實(shí)時(shí)時(shí)鐘 REAL TIME CLKRTC IN 8LD RoHS:否 制造商:Microchip Technology 功能:Clock, Calendar. Alarm RTC 總線接口:I2C 日期格式:DW:DM:M:Y 時(shí)間格式:HH:MM:SS RTC 存儲(chǔ)容量:64 B 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:1.8 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:PDIP-8 封裝:Tube
ISL1218IUZ 功能描述:實(shí)時(shí)時(shí)鐘 REAL TIME CLKRTC IN RoHS:否 制造商:Microchip Technology 功能:Clock, Calendar. Alarm RTC 總線接口:I2C 日期格式:DW:DM:M:Y 時(shí)間格式:HH:MM:SS RTC 存儲(chǔ)容量:64 B 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:1.8 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:PDIP-8 封裝:Tube
ISL1218IUZ-T 功能描述:實(shí)時(shí)時(shí)鐘 REAL TIME CLKRTC IN RoHS:否 制造商:Microchip Technology 功能:Clock, Calendar. Alarm RTC 總線接口:I2C 日期格式:DW:DM:M:Y 時(shí)間格式:HH:MM:SS RTC 存儲(chǔ)容量:64 B 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:1.8 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:PDIP-8 封裝:Tube
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