FN6460.3 October 19, 2009 Die Characteristics SUBSTRATE POTENTIAL (POWERED UP): GND TRANSISTOR COUNT: 57 PROCESS: Submicron CMOS FIGURE 15. DIG" />
參數(shù)資料
型號(hào)： ISL54053IRUZ-T
廠商： Intersil
文件頁(yè)數(shù)： 2/12頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC SWITCH SPDT 6UTDFN
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 3,000
功能： 開(kāi)關(guān)
電路： 1 x SPDT
導(dǎo)通狀態(tài)電阻： 860 毫歐
電壓電源： 單電源
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 1.8 V ~ 5.5 V
電流 - 電源： 75nA
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類(lèi)型： 表面貼裝
封裝/外殼： 6-UFDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 6-UTDFN（1.2x1.0）
包裝： 帶卷 (TR)
10
FN6460.3
October 19, 2009
Die Characteristics
SUBSTRATE POTENTIAL (POWERED UP):
GND
TRANSISTOR COUNT:
57
PROCESS:
Submicron CMOS
FIGURE 15. DIGITAL SWITCHING POINT vs SUPPLY
VOLTAGE
FIGURE 16. FREQUENCY RESPONSE
FIGURE 17. CROSSTALK AND OFF ISOLATION
FIGURE 18. CHARGE INJECTION vs SWITCH
VOLTAGE
Typical Performance Curves T
A = +25°C, Unless Otherwise Specified. (Continued)
V+ (V)
V
INH
AND
V
INL
(V)
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
VINH
VINL
FREQUENCY (Hz)
0
NO
RM
ALIZED
GAIN
(dB)
GAIN
10M
1G
VIN = 0.2VP-P to 2VP-P
RL = 50Ω
-3
V+ = 5.0V
100M
1M
-2
-1
0.1k
0.01k
FREQUENCY (Hz)
1k
100k
1M
100M 500M
10k
10M
-120
-20
-40
-60
-80
-100
CROS
S
T
A
L
K
(dB
)
OFF
ISOLA
T
IO
N
(
d
B)
ISOLATION
CROSSTALK
V+ = 1.8V to 5.5V
0
-120
-20
-40
-60
-80
-100
0
012
345
-60
-40
-20
0
10
30
40
Q
(
p
C)
VCOM (V)
V+ = 3.0V
V+ = 5V
V+ = 1.8V
-50
-30
-10
20
V+ = 3.0V
ISL54053
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