參數(shù)資料
型號(hào)： ISL59442IBZ-T13
廠商： Intersil
文件頁(yè)數(shù)： 9/11頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC AMP MULTIPLEX 1GHZ 14SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 2,500
應(yīng)用： 4:1 多路復(fù)用器-放大器
電路數(shù)： 1
-3db帶寬： 1GHz
轉(zhuǎn)換速率： 1452 V/µs
電流 - 電源： 18mA
電流 - 輸出 / 通道： 180mA
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： ±4.5 V ~ 5.5 V
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 14-SOICN
包裝： 帶卷 (TR)
7
FN7452.4
January 5, 2007
FIGURE 21. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 22. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
Pin Descriptions
PIN NUMBER
PIN NAME
EQUIVALENT
CIRCUIT
DESCRIPTION
1
IN0
Circuit 1
Input for channel 0
2, 6, 9
NIC
Not Internally Connected; it is recommended this pin be tied to ground to
minimize crosstalk.
3
IN1
Circuit 1
Input for channel 1
4
GND
Circuit 4
Ground pin
5
IN2
Circuit 1
Input for channel 2
7
IN3
Circuit 1
Input for channel 3
8
V-
Circuit 4
Negative power supply
10
OUT
Circuit 3
Output
11
HIZ
Circuit 2
Output disable (active high); there are internal pull-down resistors, so the
device will be active with no connection; "HI" puts the output in high
impedance state.
12
S1
Circuit 2
Channel selection pin MSB (binary logic code)
13
S0
Circuit 2
Channel selection pin LSB (binary logic code)
14
V+
Circuit 4
Positive power supply
Typical Performance Curves VS = ±5V, RL = 500Ω to GND, TA = +25°C, unless otherwise specified. (Continued)
1.136W
θ
JA =
88
°C
/W
SO
14
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.2
0
25
50
75
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
PO
WER
D
ISS
IP
A
T
IO
N
(W)
125
85
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.4
833mW
θ
JA =
12
0°C
/W
SO
14
1
0.9
0.8
0.6
0.4
0.1
0
025
50
75
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
PO
WER
D
ISS
IP
A
T
IO
N
(W)
125
85
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.2
0.7
0.3
0.5
IN
V+
V-
CIRCUIT 1.
LOGIC PIN
V+
V-
GND.
33k
21k
+
-
1.2V
CIRCUIT 2.
V+
V-
OUT
CIRCUIT 3.
V-
V+
CAPACITIVELY
COUPLED
ESD CLAMP
GND
CIRCUIT 4.
ISL59442
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PDF描述
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