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參數資料
| 型號： | ISL6594BCBZ-T |
| 廠商： | INTERSIL CORP |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Dual Low-Noise Wide-Bandwidth Precision Amplifier 8-SOIC -40 to 85 |
| 中文描述： | 3 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDSO8 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8 |
| 文件頁數： | 9/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 306K |
| 代理商： | ISL6594BCBZ-T |
9
FN9157.1
May 6, 2005
ISL6594A, ISL6594B
Dual Flat No-Lead Plastic Package (DFN)
D
E
A
B
0.10 M C
e
FOR ODD TERMINAL/SIDE
0.415
C
SECTION "C-C"
NX (b)
(A1)
2X
C
0.15
0.15
2X
B
NX L
REF.
(Nd-1)Xe
5
A
C
(DATUM B)
D2
D2/2
E2
E2/2
TOP VIEW
7
BOTTOM VIEW
5
C
e
6
INDEX
AREA
8
A B
NX k
6
INDEX
AREA
(DATUM A)
1
2
N-1
N
NX b
8
NX b
NX L
0.200
TERMINAL TIP
L
C
C
C
A
SEATING
PLANE
0.08 C
A3
SIDE VIEW
0.10 C
L10.3x3
10 LEAD DUAL FLAT NO-LEAD PLASTIC PACKAGE
SYMBOL
MILLIMETERS
NOTES
MIN
NOMINAL
MAX
A
0.80
0.90
1.00
-
A1
-
-
0.05
-
A3
0.20 REF
-
b
0.18
0.23
0.28
5,8
D
3.00 BSC
-
D2
1.95
2.00
2.05
7,8
E
3.00 BSC
-
E2
1.55
1.60
1.65
7,8
e
0.50 BSC
-
k
0.25
-
-
-
L
0.30
0.35
0.40
8
N
10
2
Nd
5
3
Rev. 2 11/03
NOTES:
1. Dimensioning and tolerancing conform to ASME Y14.5-1994.
2. N is the number of terminals.
3. Nd refers to the number of terminals on D.
4. All dimensions are in millimeters. Angles are in degrees.
5. Dimension b applies to the metallized terminal and is measured
between 0.15mm and 0.30mm from the terminal tip.
6. The configuration of the pin #1 identifier is optional, but must be
located within the zone indicated. The pin #1 identifier may be
either a mold or mark feature.
7. Dimensions D2 and E2 are for the exposed pads which provide
improved electrical and thermal performance.
8. Nominal dimensions are provided to assist with PCB Land
Pattern Design efforts, see Intersil Technical Brief TB389.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ISL6594BCR | Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Protection Features |
| ISL6594BCRZ | Dual Low-Noise Wide-Bandwidth Precision Amplifier 8-PDIP -40 to 85 |
| ISL6594ACB-T | Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Protection Features |
| ISL6594BCB-T | Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Protection Features |
| ISL6594B | Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Protection Features(帶保護功能的高級同步整流降壓MOSFET驅動器) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| ISL6594BCR | 功能描述:IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA 供應商設備封裝:TO-263 包裝:管件 |
| ISL6594BCR-T | 功能描述:IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA 供應商設備封裝:TO-263 包裝:管件 |
| ISL6594BCRZ | 功能描述:IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應商設備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127 |
| ISL6594BCRZ-T | 功能描述:IC MOSFET DVR SYNC BUCK 10-DFN RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:95 系列:- 配置:半橋 輸入類型:PWM 延遲時間:25ns 電流 - 峰:1.6A 配置數:1 輸出數:2 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:118V 電源電壓:9 V ~ 14 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產品目錄頁面:1282 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:*LM5104M*LM5104M/NOPBLM5104M |
| ISL6594DCBZ | 功能描述:IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應商設備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127 |
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