參數(shù)資料
型號： ISL9N304AP3
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Logic Level UltraFET Trench MOSFETs 30V, 75A, 4.5mз
中文描述： 75 A, 30 V, 0.0045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件頁數(shù)： 8/11頁
文件大?。?/td> 195K
代理商： ISL9N304AP3
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B, February 2002
I
Final Draft
PSPICE Electrical Model
.SUBCKT ISL9N304AP3 2
CA 12 8 3.3e-9
Cb 15 14 2.8e-9
Cin 6 8 3.68e-9
1 3 ;rev June 2001
Dbody 7 5 DbodyMOD
Dbreak 5 11 DbreakMOD
Dplcap 10 5 DplcapMOD
Ebreak 11 7 17 18 32
Eds 14 8 5 8 1
Egs 13 8 6 8 1
Esg 6 10 6 8 1
Evthres 6 21 19 8 1
Evtemp 20 6 18 22 1
It 8 17 1
Lgate 1 9 5.61e-9
Ldrain 2 5 1.0e-9
Lsource 3 7 1.98e-9
RLgate 1 9 56.1
RLdrain 2 5 10
RLsource 3 7 19.8
Mmed 16 6 8 8 MmedMOD
Mstro 16 6 8 8 MstroMOD
Mweak 16 21 8 8 MweakMOD
Rbreak 17 18 RbreakMOD 1
Rdrain 50 16 RdrainMOD 0.5e-3
Rgate 9 20 2.31
RSLC1 5 51 RSLCMOD 1e-6
RSLC2 5 50 1e3
Rsource 8 7 RsourceMOD 2.6e-3
Rvthres 22 8 RvthresMOD 1
Rvtemp 18 19 RvtempMOD 1
S1a 6 12 13 8 S1AMOD
S1b 13 12 13 8 S1BMOD
S2a 6 15 14 13 S2AMOD
S2b 13 15 14 13 S2BMOD
Vbat 22 19 DC 1
ESLC 51 50 VALUE={(V(5,51)/ABS(V(5,51)))*(PWR(V(5,51)/(1e-6*500),3))}
.MODEL DbodyMOD D (IS=4e-11 N=1.04 RS=2.3e-3 TRS1=2e-3 TRS2=1e-6
+ CJO=1.85e-9 M=0.51 TT=5e-11 XTI=1)
.MODEL DbreakMOD D (RS=0.38 TRS1=2e-3 TRS2=-8.9e-6)
.MODEL DplcapMOD D (CJO=1.45e-9 IS=1e-30 N=10 M=0.47)
.MODEL MstroMOD NMOS (VTO=2.02 KP=200 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u)
.MODEL MmedMOD NMOS (VTO=1.55 KP=5 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=2.31)
.MODEL MweakMOD NMOS (VTO=1.31 KP=0.1 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=23.1 RS=0.1)
.MODEL RbreakMOD RES (TC1=1e-3 TC2=-7e-7)
.MODEL RdrainMOD RES (TC1=1.7e-2 TC2=4.7e-5)
.MODEL RSLCMOD RES (TC1=4.6e-3 TC2=5e-6)
.MODEL RsourceMOD RES (TC1=1e-3 TC2=1e-6)
.MODEL RvthresMOD RES (TC1=-2.9e-3 TC2=-8e-6)
.MODEL RvtempMOD RES (TC1=-1.4e-3 TC2=1e-6)
.MODEL S1AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-6 VOFF=-3)
.MODEL S1BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-3 VOFF=-6)
.MODEL S2AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-0.4 VOFF=0.1)
.MODEL S2BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=0.1 VOFF=-0.4)
.ENDS
Note: For further discussion of the PSPICE model, consult
A New PSPICE Sub-Circuit for the Power MOSFET Featuring Global
Temperature Options
; IEEE Power Electronics Specialist Conference Records, 1991, written by William J. Hepp and C. Frank
Wheatley.
18
22
+
-
6
8
+
-
5
51
+
-
19
8
+
-
17
18
-
6
8
+
-
5
8
+
-
RBREAK
RVTEMP
19
VBAT
RVTHRES
IT
17
18
22
12
13
15
S1A
S1B
S2A
S2B
CA
CB
EGS
EDS
14
8
13
8
14
13
MWEAK
EBREAK
DBODY
RSOURCE
SOURCE
3
11
7
LSOURCE
RLSOURCE
CIN
RDRAIN
EVTHRES
16
21
8
MMED
MSTRO
DRAIN
2
LDRAIN
RLDRAIN
DBREAK
DPLCAP
ESLC
RSLC1
51
10
5
50
RSLC2
1
GATE
RGATE
EVTEMP
9
ESG
LGATE
RLGATE
20
+
-
+
6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ISL9N306AD3ST N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs 30V, 50A, 6mз
ISL9N306AD3 N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs 30V, 50A, 6mз
ISL9N306AP3 N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs
ISL9N306AS3ST N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs
ISL9N307AD3ST N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ISL9N304AP3_NF060 功能描述:MOSFET Single, N-Ch 30V, 0.0045Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ISL9N304AS3ST 功能描述:MOSFET 30V 75a 4.5 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ISL9N306AD3 功能描述:MOSFET 30V N-Channel Logic Level PWM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ISL9N306AD3ST 功能描述:MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ISL9N306AP3 功能描述:MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*