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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ISPLSI2192VE-180LT128I |
| 英文描述： | Electrically-Erasable Complex PLD |
| 中文描述： | 電可擦除復(fù)雜可編程邏輯器件 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/12頁(yè) |
| 文件大小： | 120K |
| 代理商： | ISPLSI2192VE-180LT128I |
Specifications
ispLSI 1048
7
USEispLS 1048EAFORNEW
COMMERCAL&INDUSTRAL
DESGNS
Internal Timing Parameters
1
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
–
–
–
6.7
5.3
1.3
5.3
1.3
–
4.0
6.7
6.7
6.7
8.0
6.6
8.0
6.6
10.6
Outputs
t
ob
t
oen
t
odis
Clocks
t
gy0
t
gy1/2
t
gcp
t
ioy2/3
t
iocp
Global Reset
t
gr
47
49
50
51
52
53
54
55
Output Buffer Delay
I/O Cell OE to Output Disabled
Clock Delay, Y0 to Global GLB Clock Line (Ref. clock)
Clock Delay, Y1 or Y2 to Global GLB Clock Line
Clock Delay, Clock GLB to Global GLB Clock Line
Clock Delay, Y2 or Y3 to I/O Cell Global Clock Line
Clock Delay, Clock GLB to I/O Cell Global Clock Line
Global Reset to GLB and I/O Registers
MIN. MAX.
DESCRIPTION
PARAMETER
UNITS
-50
#
2
–
–
5.0
4.0
1.0
4.0
1.0
–
3.0
5.0
5.0
6.0
5.0
6.0
5.0
8.0
MIN. MAX.
-70
1. Internal Timing Parameters are not tested and are for reference only.
2. Refer to Timing Model in this data sheet for further details.
–
–
4.2
3.3
0.8
3.3
0.8
–
2.5
4.2
4.2
5.0
4.2
5.0
4.2
9.2
MIN. MAX.
-80
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ISPLSI3160-100LB272 | |
| ISPLSI3160-100LM | Electrically-Erasable Complex PLD |
| ISPLSI3160-100LQ | |
| ISPLSI3160-125LB272 | Electrically-Erasable Complex PLD |
| ISPLSI3160-125LM | |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ISPLSI2192VE180LTN128 | 制造商:LATTICE 制造商全稱:Lattice Semiconductor 功能描述:3.3V In-System Programmable SuperFAST⑩ High Density PLD |
| ISPLSI2192VE180LTN128I | 制造商:LATTICE 制造商全稱:Lattice Semiconductor 功能描述:3.3V In-System Programmable SuperFAST⑩ High Density PLD |
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| ISPLSI2192VE225LB144 | 制造商:LATTICE 制造商全稱:Lattice Semiconductor 功能描述:3.3V In-System Programmable SuperFAST⑩ High Density PLD |
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