參數(shù)資料
型號： IXDN75N120
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage IGBT
中文描述： 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MINIBLOC-4
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 73K
代理商： IXDN75N120
2000 IXYS All rights reserved
4 - 4
Fig. 5
Typ. turn on energy and switching
times versus collector current
Fig. 6
Typ. turn off energy and switching
times versus collector current
Fig. 7
Typ. turn on energy and switching
times versus gate resistor
Fig.8
Typ. turn off energy and switching
times versus gate resistor
Fig. 9
Reverse biased safe operating area
RBSOA
Fig. 10 Typ. transient thermal impedance
0
50
100
150
0
10
20
30
40
0
40
80
120
160
0
50
100
150
0
5
10
15
20
0
200
400
600
800
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
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0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0
8
16
24
32
40
48
56
0
5
10
15
20
25
mJ
0
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800
1200
1600
2000
ns
0
8
16
24
32
40
48
56
0
5
10
15
20
25
mJ
0
40
80
120
160
200
ns
single pulse
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
R
G
= 15
W
T
J
= 125
°
C
IXDN75N120
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
I
C
= 75A
T
J
= 125
°
C
0
200
400
600
800
1000 1200
V
CE
0
50
100
150
200
R
G
= 15
W
T
J
= 125
°
C
V
CEK
< V
CES
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
R
G
= 15
W
T
J
= 125
°
C
E
on
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
I
C
= 75A
T
J
= 125
°
C
t
d(on)
t
r
E
off
t
d(off)
t
f
E
on
t
d(on)
t
r
E
off
t
d(off)
t
f
I
C
A
I
C
A
mJ
E
off
mJ
E
on
ns
t
ns
t
R
G
W
R
G
W
t
s
E
on
E
off
t
t
I
CM
K/W
Z
thJC
V
A
IXDN 75N120
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXDP610 Bus Compatible Digital PWM Controller, IXDP 610
IXDP630 Inverter Interface and Digital Deadtime Generator for 3-Phase PWM Controls
IXDP630PI Inverter Interface and Digital Deadtime Generator for 3-Phase PWM Controls
IXDP631 Inverter Interface and Digital Deadtime Generator for 3-Phase PWM Controls
IXDP631PI Inverter Interface and Digital Deadtime Generator for 3-Phase PWM Controls
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXDN75N120A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 120A I(C) | SOT-227B
IXDP20N60B 功能描述:IGBT 晶體管 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXDP20N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXDP35N60B 功能描述:IGBT 晶體管 35 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXDP610 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Bus Compatible Digital PWM Controller, IXDP 610
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