參數(shù)資料
型號： IXFE44N60
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Aluminum Electrolytic Capacitor; Capacitor Type:Motor Start/Motor Run; Voltage Rating:250VDC; Capacitor Dielectric Material:Aluminum Electrolytic; Operating Temperature Range:-40 C to ? C; Capacitance:2900uF RoHS Compliant: Yes
中文描述： 40 A, 600 V, 0.13 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ISOPLUS227, 4 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 83K
代理商： IXFE44N60
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
IXFE 44N60
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
=
I
T
,
Note:1
30
45
S
C
iss
C
oss
C
rss
8900
1000
330
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
42
55
110
45
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
=
I
T
R
G
= 1
(External),
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
330
60
65
nC
nC
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
=
I
T
R
thJC
R
thCK
0.25
K/W
K/W
0.07
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
44
A
I
SM
Repetitive;
pulse width limited by T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
Note:1
176
A
V
SD
1.3
V
t
rr
Q
RM
I
RM
I
F
= 50A, -di/dt = 100 A/
μ
s, V
R
= 100 V
250
ns
μ
C
A
1.4
8
ISOPLUS-227 B
Please see IXFN44N60 data sheet
for characteristic curves.
Note: 1. Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
2. Test current
I
T
= 22A
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IXFE48N50QD2 功能描述:MOSFET 41 Amps 500V 0.11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFE48N50QD3 功能描述:MOSFET 41 Amps 500V 110 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFE50N50 功能描述:MOSFET 47 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFE55N50 功能描述:MOSFET 52 Amps 500V 0.08 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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