參數(shù)資料
型號(hào)： IXFH16N90
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs
中文描述： 16 A, 900 V, 0.65 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 267K
代理商： IXFH16N90
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXFH 16N90
IXFX 16N90
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 0.5 I
D25
, pulse test
6
10
S
C
iss
C
oss
C
rss
4500
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
430
pF
150
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
27
ns
V
GS
R
G
= 2
(External),
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
30
ns
120
ns
30
ns
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
220
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
30
nC
85
nC
R
thJC
R
thCK
0.35
K/W
0.25
K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
16
A
I
SM
Repetitive;
pulse width limited by T
JM
64
A
V
SD
I
= I
, V
= 0 V,
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
1.5
V
t
rr
T
J
=
T
J
= 125
°
C
25
°
C
200
350
ns
ns
Q
RM
T
J
=
T
J
= 125
°
C
25
°
C
1
2
μ
C
μ
C
I
RM
T
J
=
T
J
= 125
°
C
25
°
C
10
15
A
A
I
= I
-di/dt = 100 A/
μ
s,
V
R
= 100 V
Dim.
Millimeter
Min.
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
19.81
Inches
Min.
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
0.205 0.225
.780
Max.
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
Max.
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
P
Q
R
S
.8
21.46
16.26
5.72
20.32
4.50
3.65
6.40
5.49
.800
.177
.144
3.55
5.89
4.32
6.15 BSC
.140
0.232 0.252
.170
242 BSC
.216
TO-247 AD (IXFH) Outline
Terminals: 1 - Gate
2 - Drain
Tab - Drain
3 - Source
1 2 3
PLUS 247
TM
Outline
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFX16N90 HiPerFET Power MOSFETs
IXFH20N80Q HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class
IXFK20N80Q HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class
IXFT20N80Q HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class
IXFH21N50 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓500V,導(dǎo)通電阻0.25Ω的N溝道增強(qiáng)型 HiPerFET功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFH16N90Q 功能描述:MOSFET 16 Amps 900V 0.65 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH170N10P 功能描述:MOSFET 170 Amps 100V 0.009 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH17N60 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs
IXFH17N65 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs
IXFH17N80Q 功能描述:MOSFET 17 Amps 800V 0.60 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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