參數(shù)資料
型號： IXFHN100
廠商： IXYS Corporation
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs
中文描述： HiPerFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 116K
代理商： IXFHN100
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
IXFH14N100
IXFH15N100
IXFT14N100
IXFT15N100
IXFX15N100
IXFX14N100
V
SD
- Volts
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
D
0
8
16
24
32
40
Pulse Width - Seconds
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
R
J
0.01
0.1
1
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
30
35
40
C
100
250
500
1000
2500
5000
Gate Charge - nC
0
40
80
120
160
200
240
280
V
G
0
2
4
6
8
10
12
Vds= 500V
= 7.5A
= 10mA
I
G
Crss
Coss
Ciss
V
DS
I
D
f = 1MHz
T
J
= 125
O
C
T
J
= 25
O
C
Single pulse
Fig.7 Gate Charge Characteristic Curve
Fig.8
Capacitance Curves
Fig.9 Source current vs Source drain voltage.
Fig.10 Transient Thermal Impedance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFTN100 HiPerFET Power MOSFETs
IXFX14N100 HiPerFET Power MOSFETs
IXFX15N100 HiPerFET Power MOSFETs
IXFH14N80 HiPerFET Power MOSFETs
IXFH14N60 HIPERFET Power MOSFTETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFHT24N50 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs
IXFI7N80P 功能描述:MOSFET 7 Amps 800V 1.44 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFJ13N50 功能描述:MOSFET 13 Amps 500V 0.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFJ32N50Q 功能描述:MOSFET 32 Amps 500V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFJ36N30 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET
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