參數(shù)資料
型號： IXFT12N50F
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching
中文描述： 12 A, 500 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-268AA
封裝： PLASTIC, TO-268, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 303K
代理商： IXFT12N50F
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
DSS
V
DGR
T
J
= 25 C to 150 C
T
J
= 25 C to 150 C; R
GS
= 1 M
500
500
V
V
V
GS
V
GSM
Continuous
Transient
20
30
V
V
I
D25
I
DM
I
AR
T
C
= 25 C
T
C
= 25 C, pulse width limited by T
JM
T
C
= 25 C
12
48
12
A
A
A
E
AR
E
AS
dv/dt
T
C
= 25 C
T
C
= 25 C
I
S
I
, di/dt 100 A/ s, V
DD
V
DSS
T
J
150 C, R
G
= 2
T
C
= 25 C
20
mJ
mJ
300
5
V/ns
P
D
T
J
T
JM
T
stg
T
L
M
d
Weight
180
W
-55 ... +150
C
C
C
150
-55 ... +150
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s
300
C
Mounting torque
TO-264
0.4/6 Nm/lb.in.
TO-247
TO-264
6
4
g
g
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
I
GSS
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0
100 nA
I
DSS
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
V
= 10 V, I
D
= 0.5 I
D25
Note 1
50 A
1 mA
0.4
T
J
= 125 C
R
DS(on)
98737 (07/00)
Advanced Technical Information
HiPerRF
TM
Power MOSFETs
F-Class: MegaHertz Switching
Low Q
g
,
Low Intrinsic R
g
Low t
rr
!"
#$
%!
Rugged polysilicon gate cell structure
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
%!&"#$'$
()'#*$'
Fast intrinsic rectifier
HDMOS
TM
process
Applications
DC-DC converters
Switched-mode and resonant-mode
power supplies, >500kHz switching
DC choppers
13.5 MHz industrial applications
Pulse generation
Laser drivers
RF amplifiers
Advantages
Space savings
High power density
TO-247 AD (IXFH)
(TAB)
G = Gate,
S = Source,
D = Drain,
TAB = Drain
(IXFT)
(TAB)
G
S
V
DSS
I
D25
R
DS(on)
t
rr
250 ns
= 500 V
= 12 A
= 0.4
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PDF描述
IXFH12N90Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓900V,導通電阻0.9Ω的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
IXFH13 N90 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓900V,導通電阻0.8Ω的N溝道增強型 HiPerFET功率MOSFET)
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IXFT13N90 HiPerFET Power MOSFETs
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參數(shù)描述
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IXFT13N100 功能描述:MOSFET 1KV 12.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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