型號: | IXFT16N90Q |
廠商: | IXYS CORP |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
中文描述: | 16 A, 900 V, 0.65 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-268 |
封裝: | PLASTIC PACKAGE-4 |
文件頁數(shù): | 1/2頁 |
文件大小: | 72K |
代理商: | IXFT16N90Q |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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IXFH16N90 | HiPerFET Power MOSFETs |
IXFX16N90 | HiPerFET Power MOSFETs |
IXFH20N80Q | HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class |
IXFK20N80Q | HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class |
IXFT20N80Q | HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IXFT17N80Q | 功能描述:MOSFET 17 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFT18N100Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFT18N90P | 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFT20N100P | 功能描述:MOSFET 20 Amps 1000V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFT20N60Q | 功能描述:MOSFET 20 Amps 600V 0.35 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |