參數(shù)資料
型號： IXFT6N100F
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Power MOSFETs
中文描述： 6 A, 1000 V, 1.9 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-268AA
封裝： PLASTIC, TO-268, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 820K
代理商： IXFT6N100F
2002 IXYS All rights reserved
IXFH 6N100F
IXFT 6N100F
V
GS
- Volts
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
I
D
0
2
4
6
T
C
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
0
2
4
6
8
T
J
- Degrees C
-25
0
25
50
75
100
125
150
R
D
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
I
D
- Amperes
0
2
4
6
8
10
12
R
D
0
1
2
3
4
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
I
D
0
2
4
6
8
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
I
D
0
2
4
6
8
10
12
5V
V
GS
= 10V
T
J
= 125
O
C
T
J
= 25
O
C
6V
5V
T
J
= 25
o
C
T
J
= 25
O
C
T
J
= 125
O
C
6V
V
GS
= 10V
9V
8V
7V
V
GS
= 10V
9V
8V
7V
T
J
= 125
o
C
T
J
= -40
o
C
I
D
= 6A
I
D
= 3A
V
GS
= 10V
Fig. 1. Output Characteristics at 25
o
C
Fig. 2. Output Characteristics at 125
o
C
Fig. 3. R
DS(ON)
vs. Drain Current
Fig. 4. R
DS(ON)
vs. T
J
Fig. 5. Drain Current vs. Case Temperature
Fig. 6. Admittance Curves
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFH6N100Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導(dǎo)通電阻1.9Ω的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFH6N100 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導(dǎo)通電阻2.0Ω的N溝道增強(qiáng)型 HiPerFET功率MOSFET)
IXFH70N15 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓150V,導(dǎo)通電阻28mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFH75N10Q HIPER FET POWER MOSFETS Q CLASS
IXFT75N10Q HIPER FET POWER MOSFETS Q CLASS
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參數(shù)描述
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IXFT70N15 功能描述:MOSFET 70 Amps 150V 0.028 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT70N20Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 200V/70A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT70N30Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/70A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT74N20 功能描述:MOSFET 74 Amps 200V 0.03 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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