參數(shù)資料
型號(hào)： IXGA7N60B
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為1.5V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
中文描述： 14 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝： TO-263AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 50K
代理商： IXGA7N60B
1 - 2
2000 IXYS All rights reserved
98563 (10/98)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
CES
V
T
J
T
J
= 25°C to 150°C
= 25°C to 150°C; R
GE
= 1 M
600
600
V
V
V
GES
V
GEM
Continuous
Transient
±20
±30
V
V
I
C25
I
C90
I
CM
T
C
T
C
T
C
= 25°C
= 90°C
= 25°C, 1 ms
14
7
30
A
A
A
SSOA
(RBSOA)
V
= 15 V, T
= 125°C, R
= 22
Clamped inductive load, L = 300 H
I
= 14
@ 0.8 V
CES
A
P
C
T
C
= 25°C
54
W
T
J
T
JM
T
stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
°C
°C
°C
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
300
°C
M
d
Mounting torque, (TO-220)
M3
M3.5
0.45/4 Nm/lb.in.
0.55/5 Nm/lb.in.
Weight
TO-220
TO-263
4
2
g
g
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25°C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
BV
CES
V
GE(th)
I
C
I
C
= 250 A, V
GE
= 0 V
= 250 A, V
CE
= V
GE
600
2.5
V
V
5.5
I
CES
V
CE
= 0.8 V
CES
V
GE
= 0 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
100
500
A
A
I
GES
V
CE
= 0 V, V
GE
= ±20 V
±100
nA
V
CE(sat)
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
1.5
1.8
V
Features
International standard packages
JEDEC TO-263 surface
mountable and JEDEC TO-220 AB
Medium frequency IGBT
High current handling capability
HiPerFAST
TM
HDMOS
TM
process
MOS Gate turn-on
- drive simplicity
Applications
Uninterruptible power supplies (UPS)
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
AC motor speed control
DC servo and robot drives
DC choppers
Advantages
High power density
Suitable for surface mounting
Very low switching losses for high
frequency applications
HiPerFAST
TM
IGBT
IXGA 7N60B
IXGP 7N60B
V
CES
I
C25
V
CE(sat)typ
t
fi
= 600
= 14
= 1.5
= 150 ns
V
A
V
G = Gate,
E = Emitter,
C = Collector,
TAB = Collector
Advanced Technical Information
GCE
TO-220AB (IXGP)
G
E
TO-263 (IXGA)
C (TAB)
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGA7N60C Lightspeed Series HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.0V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXGH6N170A High Voltage IGBT
IXGT6N170A High Voltage IGBT
IXGP12N60U1 Low VCE(sat) IGBT with Diode Combi Pack
IXGR32N60C Lightspeed Series HiPerFAST IGBT(Lightspeed系列，VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGA7N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 14 Amps 600V 2.0 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA7N60C 功能描述:IGBT 晶體管 14 Amps 600V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA7N60CD1 功能描述:IGBT 晶體管 14 Amps 600V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA8N100 功能描述:IGBT 晶體管 16 Amps 1000V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA90N33TC 功能描述:IGBT 晶體管 G-series A,B,C RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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