參數(shù)資料
型號： IXGH28N90
廠商： IXYS Corporation
英文描述： HIPERFAST IGBT
中文描述： HIPERFAST IGBT的
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 91K
代理商： IXGH28N90
2000 IXYS All rights reserved
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IXGH 28N90B
IXGT 28N90B
Preliminary data sheet
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGH28N90B HIPERFAST IGBT
IXGT28N90B HIPERFAST IGBT
IXGH28N30 HiPerFAST IGBT
IXGH30B60BD1 HiPerFASTTM IGBT with Diode
IXGH30N30 HiPerFAST IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH28N90B 功能描述:IGBT 晶體管 51 Amps 900V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH2N250 制造商:IXYS Corporation 功能描述:IGBT 2500V 5.5A 32W TO247
IXGH30B60BD1 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFASTTM IGBT with Diode
IXGH30N120B3 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:GenX3 1200V IGBTs
IXGH30N120B3D1 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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