參數(shù)資料
型號： IXGH30N60A
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
中文描述： 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
文件頁數(shù)： 4/4頁
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代理商： IXGH30N60A
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2000 IXYS All rights reserved
Fig. 7. Dependence of E
ON
and E
OFF
on I
C
.
Fig. 8. Dependence of E
ON
and E
OFF
on R
G
.
Fig. 9. Gate Charge
Fig. 10. Turn-off Safe Operating Area
Fig. 11. Transient Thermal Resistance
IXGH 30N30
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGH30N60B2 HiPerFAST IGBT
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參數(shù)描述
IXGH30N60AU1 制造商:IXYS 功能描述:Bulk
IXGH30N60B 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V 1.8 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH30N60B2 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 600V 1.8 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH30N60B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 600V 1.8 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH30N60B4 功能描述:IGBT 模塊 High-Gain IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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