參數(shù)資料
型號： IXGH30N60BU1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT with Diode
中文描述： 60 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 141K
代理商： IXGH30N60BU1
2002 IXYS All rights reserved
Fig. 1. Saturation Voltage Characteristics
Fig. 2. Extended Output Characteristics
200
V
GE
= 15V
T
J
= 25°C
Fig. 3. Saturation Voltage Characteristics
Fig. 4. Temperature Dependence of V
CE(sat)
1.6
Fig. 5. Admittance Curves
Fig. 6. Temperature Dependence of BV
DSS
& V
GE(th)
10000
V
CE
- Volts
0
1
2
3
4
5
I
C
0
20
40
60
80
100
V
CE
-Volts
0
5
10
15
20
25
30
35
40
C
10
100
1000
T
J
- Degrees C
25
50
75
100
125
150
V
C
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
CE
- Volts
0
1
2
3
4
5
I
C
0
20
40
60
80
100
V
GE
- Volts
3
4
5
6
7
8
9
10
I
C
0
20
40
60
80
100
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10
I
C
0
40
80
120
160
13V
11V
9V
7V
V
CE
= 10V
T
J
= 25°C
I
C
= 15A
I
C
= 30A
I
C
= 60A
T
J
=
150°C
C
rss
f = 1Mhz
5V
5V
V
GE
= 15V
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
C
iss
C
oss
V
GE
= 15V
13V
11V
9V
7V
V
GE
= 15V
13V
11V
9V
5V
7V
IXGH 30N60BU1
IXGT 30N60BU1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGT30N60BU1 HiPerFAST IGBT with Diode
IXGH30N60BD1 HiPerFASTTM IGBT with Diode
IXGT30N60BD1 HiPerFASTTM IGBT with Diode
IXGH30N60B HiPerFASTTM IGBT
IXGH31N60D1 Ultra-Low VCE(sat) IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為1.7V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管))
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH30N60BU1S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247SMD
IXGH30N60C2 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 600V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH30N60C2D1 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 600V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH30N60C2D1SN 制造商:IXYS Corporation 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
IXGH30N60C2D4 功能描述:IGBT 晶體管 G-series A2,B2,C2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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