參數資料
型號: IXGH39N60B
廠商: IXYS CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: HiPerFAST IGBT
中文描述: 76 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝: TO-247AD, 3 PIN
文件頁數: 4/5頁
文件大小: 154K
代理商: IXGH39N60B
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXGH39N60B
IXGH39N60BD1 IXGT39N60BD1
IXGT39N60B
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
Fig. 12. Transient Thermal Response
0.01
0.1
1
1
10
100
1000
Pulse Width - milliseconds
R
(
(
Fig. 11. Gate Charge
0
3
6
9
12
15
0
20
40
Q
G
- nanocoulombs
60
80
100
120
V
C
V
CE
=300V
I
C
=20A
I
G
=10mA
Fig. 7. Transconductance
0
10
20
30
40
50
0
20
40
60
80
100
120
I
C
- Amperes
G
F
T
J
= -40
o
C
25oC
125oC
Fig. 8. Dependence of E
OFF
on I
C
2
4
6
8
10
12
14
16
10
30
50
70
90
I
C
- Amperes
E
O
R
G
= 5 Ohms
R
G
= 56 Ohms
T
J
= 125
o
C
V
GE
= 15V
V
CE
= 480V
Fig. 9. Dependence of E
OFF
on R
G
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
10
20
30
40
50
60
R
G
- Ohms
E
O
-
I
C
= 19.5A
I
C
= 39A
I
C
= 78A
T
J
= 125oC
V
GE
= 15V
V
CE
= 480V
Fig. 10. Dependence of E
OFF
on
Temperature
0
3
6
9
12
15
18
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- Degrees Centigrades
E
O
I
C
=
78A
I
C
=
39A
I
C
=
19.5A
Solid lines - R
G
= 5 Ohms
Dashed lines - R
G
= 56 Ohms
V
GE
= 15V
V
CE
= 480V
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PDF描述
IXGH39N60BD1 HiPerFAST IGBT
IXGH40N30 HiPerFAST IGBT
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參數描述
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IXGH39N60BS 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 76A I(C) | TO-247SMD
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IXGH40N120B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 IGBT, Diode 1200V, 75A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH40N120C3 功能描述:IGBT 晶體管 75Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube