參數(shù)資料
型號(hào)： IXGH41N60
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Ultra-Low VCE(sat) IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為1.6V的絕緣柵雙極晶體管)
中文描述： 76 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 34K
代理商： IXGH41N60
2 - 2
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
Pulse test, t 300 s, duty cycle 2 %
= I
; V
= 10 V,
19
28
S
C
ies
C
oes
C
res
2750
206
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
55
Q
g
Q
ge
Q
gc
120
25
40
nC
nC
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
E
off
30
30
ns
ns
ns
ns
mJ
600
450
8
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
E
off
40
40
0.3
800
600
15
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
R
thJC
R
thCK
0.62 K/W
0.25
K/W
Inductive load, T
J
= 25 C
I
C
= I
, V
GE
= 15 V, L = 100 H,
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 10
Remarks: Switching times may increase
for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
Inductive load, T
J
= 125 C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, L = 100 H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 10
Remarks: Switching times may increase
for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
TO-247 AD (IXGH) Outline
Dim. Millimeter
Min.
Inches
Min.
Max.
Max.
A
B
19.81 20.32
20.80 21.46
0.780 0.800
0.819 0.845
C
D
15.75 16.26
3.55
0.610 0.640
0.140 0.144
3.65
E
F
4.32
5.4
5.49
6.2
0.170 0.216
0.212 0.244
G
H
1.65
2.13
4.5
0.065 0.084
-
-
0.177
J
K
1.0
10.8
1.4
11.0
0.040 0.055
0.426 0.433
L
M
4.7
0.4
5.3
0.8
0.185 0.209
0.016 0.031
N
1.5
2.49
0.087 0.102
IXGH 41N60
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGH45N120 IGBT
IXGT45N120 IGBT
IXGH50N60B2 HiPerFASTTM IGBT B2-Class High Speed IGBTs
IXGT50N60B2 HiPerFASTTM IGBT B2-Class High Speed IGBTs
IXGH60N60B2 Optimized for 10-25 kHz hard switching and up to 100 KHz resonant switching
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH42N30C3 功能描述:IGBT 晶體管 42 Amps 300V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH45N120 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 1200V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH48N60A3 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 1.05 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH48N60A3D1 功能描述:IGBT 晶體管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 48A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH48N60B3 功能描述:MOSFET 48 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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