參數(shù)資料
型號： IXGH60N60C2
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFASTTM IGBT C2-Class High Speed IGBTs
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 586K
代理商： IXGH60N60C2
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXGH 60N60C2
IXGT 60N60C2
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665 6,534,343
Fig. 12. Capacitance
10
100
1000
10000
0
5
10
15
V
CE
- Volts
20
25
30
35
40
C
Cies
Coes
Cres
f = 1MHz
Fig. 11. Gate Charge
0
3
6
9
12
15
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Q
G
- nanoCoulombs
V
G
V
C E
= 300V
I
C
= 50A
I
G
= 10mA
Fig. 7. Transconductance
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
25
50
75
I
C
- Amperes
100
125
150
175
200
g
f
T
J
= -40
o
C
25
o
C
125
o
C
Fig. 8. Dependence of E
off
on R
G
0
1
2
3
4
5
6
2
4
6
8
10
12
14
16
R
G
- Ohms
E
o
-
I
C
= 75A
I
C
= 25A
T
J
= 125
o
C
V
GE
= 15V
V
CE
= 400V
I
C
= 50A
I
C
= 100A
Fig. 9. Dependence of E
off
on I
C
0
1
2
3
4
5
20
30
40
50
I
C
- Amperes
60
70
80
90
100
E
o
R
G
= 2 Ohms
R
G
= 10 Ohms - - - - -
T
J
= 125
o
C
V
G E
= 15V
V
C E
= 400V
T
J
= 25
o
C
Fig. 10. Dependence of E
off
on Temperature
0
1
2
3
4
5
25
50
T
J
- Degrees Centigrade
75
100
125
E
o
I
C
= 100A
I
C
= 50A
I
C
= 25A
V
G E
= 15V
V
C E
= 400V
R
G
= 2 Ohms
R
G
= 10 Ohms - - - - -
I
C
= 75A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGT60N60C2 HiPerFASTTM IGBT C2-Class High Speed IGBTs
IXGH60N60 Ultra-Low VCE(sat) IGBT(VCE(sat)為1.7V的絕緣柵雙極場效應(yīng)管)
IXGK60N60 Ultra-Low VCE(sat) IGBT
IXGJ50N60B HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXGK120N60B HiPerFAST IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH60N60C3 功能描述:IGBT 晶體管 GenX3 600V IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH60N60C3D1 功能描述:MOSFET 60 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXGH64N60A3 功能描述:IGBT 模塊 GenX3 600V IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IXGH64N60B3 功能描述:IGBT 模塊 GenX3 600V IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IXGH6N170 功能描述:IGBT 晶體管 12 Amps 1700 V 4 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*