參數(shù)資料
型號(hào): IXGK50N60AU1
廠商: IXYS CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: HiPerFAST IGBT with Diode
中文描述: 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝: TO-264AA, 3 PIN
文件頁數(shù): 4/6頁
文件大?。?/td> 162K
代理商: IXGK50N60AU1
4 - 6
2000 IXYS All rights reserved
Figure 9. Gate Charge
Figure 10. Turn-off Safe Operating Area
Figure 11. IGBT Transient Thermal Resistance
Figure 8. Dependence of E
ON
and E
OFF
on R
G
.
Figure 7. Dependence of E
ON
and E
OFF
on I
C
.
IXGK50N50BU1
IXGK50N60BU1
Pulse Width - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Z
t
0.001
0.01
0.1
1
D=0.02
V
CE
- Volts
0
100
200
300
400
500
I
C
0.1
1
10
100
Q
g
- nanocoulombs
0
50
100
150
200
250
300
V
G
0
5
10
15
20
R
G
- Ohms
0
10
20
30
40
50
60
E
(
0
2
4
6
8
10
12
E
(
0
1
2
3
4
5
6
I
C
- Amperes
0
20
40
60
80
100
E
(
0
2
4
6
8
10
12
E
(
0
1
2
3
4
5
6
V
CE
= 250V
I
C
=50A
E
(ON)
E
(OFF)
E
(ON)
E
(OFF)
T
J
= 125°C
R
G
= 5.2
dV/dt < 5V/ns
D=0.1
D=0.05
Single pulse
D = Duty Cycle
T
J
= 125°C
R
G
= 4.7
600
E
(OFF)
E
(OFF)
D=0.2
D=0.5
D=0.01
I
C
=25A
T
J
= 125°C
E
(ON)
I
C
= 100A
I
C
= 50A
E
(ON)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGK50N60C2D1 HiPerFAST IGBT with Diode
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參數(shù)描述
IXGK50N60B 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGK50N60B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 50 Amps 600V 2.3 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGK50N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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