參數(shù)資料
型號(hào)： IXGK80N60A
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT
中文描述： 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝： TO-264AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 41K
代理商： IXGK80N60A
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXGK80N60A
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ. max.
g
fs
I
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2 %
= 40A; V
CE
= 10 V,
30
50
S
Q
g
Q
ge
Q
gc
400
70
160
nC
nC
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
C
ies
C
oes
C
res
8000
860
200
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
E
off
50
ns
ns
ns
ns
mJ
210
300
350
10
500
12.5
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
50
ns
ns
mJ
ns
ns
240
3
400
600
E
off
15
mJ
R
thJC
R
thCK
0.25 K/W
0.15
K/W
Inductive load, T
J
= 125
°
C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, L = 100
μ
H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 2.7
Remarks: Switching times may increase
for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
Inductive load, T
J
= 25
°
C
I
C
= I
, V
GE
= 15 V, L = 100
μ
H,
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 2.7
Remarks: Switching times may increase
for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
TO-264 AA Outline
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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IXGM30N60A Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
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參數(shù)描述
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