參數(shù)資料
型號： IXGR32N60CD1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管（帶二極管）)
中文描述： 45 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOPLUS247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 127K
代理商： IXGR32N60CD1
4 - 5
2000 IXYS All rights reserved
Pulse Width - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Z
t
0.001
0.01
0.1
1
D=0.2
D=0.1
D=0.05
V
CE
- Volts
0
100
200
300
400
500
600
I
C
0.1
1
10
100
64
Q
g
- nanocoulombs
0
25
50
75
100
125
V
G
0
4
8
12
16
R
G
- Ohms
0
10
20
30
40
50
60
E
(
0
2
4
6
8
E
(
0
1
2
3
4
I
C
- Amperes
0
20
40
60
80
E
(
0
1
2
3
4
E
(
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
V
CE
= 300V
I
C
= 16A
I
C
= 32A
E
(ON)
E
(OFF)
E
(OFF)
T
J
= 125°C
R
G
= 4.7
dV/dt < 5V/ns
D=0.5
D=0.02
D=0.01
Single pulse
D = Duty Cycle
R
G
= 10
T
J
= 125°C
E
(ON)
I
C
= 64A
E
(OFF)
T
J
= 125°C
E
(ON)
I
C
= 32A
E
(ON)
E
(OFF)
Fig. 7. Dependence of E
ON
and E
OFF
on I
C
.
Fig. 8. Dependence of E
ON
and E
OFF
on R
G
.
Fig. 9. Gate Charge
Fig. 10. Turn-off Safe Operating Area
Fig. 11. Transient Thermal Resistance
IXGR 32N60CD1
相關PDF資料
PDF描述
IXGR40N60BD1 IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.2V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）)
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IXGR40N60C HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXGR40N60CD1 HiPerFAST IGBT ISOPLUS247
IXGR50N60B HiPerFAST IGBT ISOPLUS247
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IXGR35N120D1 功能描述:IGBT 晶體管 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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