參數(shù)資料
型號(hào)： IXGR60N60U1
廠(chǎng)商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： LowV-CE(sat) IGBT with Diode ISOPLUS247-TM (Electrically Isolated Back Surface)
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOPLUS247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 120K
代理商： IXGR60N60U1
3 - 5
2000 IXYS All rights reserved
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
B
G
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
T
J
- Degrees C
25
50
75
100
125
150
V
C
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
V
CE
- Volts
0
1
2
3
4
5
I
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
CE
- Volts
0
1
2
3
4
I
C
0
25
50
75
100
125
150
175
200
V
CE
- Volts
0
100
200
300
400
500
600
I
C
0.1
1
10
100
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10
I
C
0
50
100
150
200
250
300
350
13V
11V
9V
7V
V
GE
= 15V
13V
11V
9V
7V
T
J
= 25
°
C
V
GE
= 15V
I
C
= 30A
I
C
= 60A
I
C
= 120A
V
GE(th)
I
C
= 250μA
BV
CES
I
C
= 250μA
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
V
GE
= 15V
T
J
= 25
°
C
V
GE
= 15V
T
J
= 125
o
C
R
G
= 4.7
W
dV/dt < 5V/ns
IXGR 60N60U1
Figure 1. Saturation Voltage Characteristics
Figure 2. Extended Output Characteristics
Figure 3. Saturation Voltage Characteristics
Figure 4. Temperature Dependence of V
CE(sat)
Figure 5. Admittance Curves
Figure 6. Capacitance Curves
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGT16N170A High Voltage IGBT
IXGH14N170A High Voltage IGBT
IXGT28N30 HiPerFAST IGBT
IXGX40N60BD1 HiPerFAST IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）)
IXHQ100 Negative Voltage Hot Swap Controller with Active Power Filter
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGR64N60A3 制造商:IXYS 制造商全稱(chēng):IXYS Corporation 功能描述:600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
IXGR6N170A 功能描述:IGBT 模塊 High Voltage IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IXGR72N60A3 制造商:IXYS 制造商全稱(chēng):IXYS Corporation 功能描述:600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
IXGR72N60A3H1 功能描述:IGBT 模塊 Low-Frequency Range Low Vcesat w/ Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IXGR72N60A3U1 制造商:IXYS 制造商全稱(chēng):IXYS Corporation 功能描述:600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠(chǎng)商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*