參數(shù)資料
型號： IXGT50N60B2
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： HiPerFASTTM IGBT B2-Class High Speed IGBTs
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-268AA
封裝： TO-268, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 585K
代理商： IXGT50N60B2
2004 IXYS All rights reserved
Fig. 15. Gate Charge
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
30
60
90
120
150
Q
G
- nanoCoulombs
V
G
V
CE
= 300V
I
C
= 40A
I
G
= 10mA
Fig. 16. Capacitance
10
100
1000
10000
0
5
10
15
V
C E
- Volts
20
25
30
35
40
C
C
ies
C
oes
C
res
f = 1 MHz
Fig. 13. Dependence of Turn-Off
Switching Time on Temperature
0
50
100
150
200
250
300
350
25
35
45
55
65
75
85
95
105 115 125
T
J
- Degrees Centigrade
S
t
d(off)
t
fi
-
- - - - -
R
G
= 5
V
GE
= 15V
V
CE
= 480V
I
C
= 40A
I
C
= 80A
I
C
= 20A
Fig. 14. Reverse-Bias
Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
200
300
V
C E
- Volts
400
500
600
I
T
J
= 125
o
C
R
G
= 10
dV/dT < 10V/ns
Fig. 17. Maximum Transient Thermal Resistance
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
1
10
100
1000
Pulse Width - milliseconds
R
(
o
IXGH 50N60B2
IXGT 50N60B2
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PDF描述
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IXGT60N60B2 Optimized for 10-25 kHz hard switching and up to 100 KHz resonant switching
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IXGT60N60C2 HiPerFASTTM IGBT C2-Class High Speed IGBTs
IXGH60N60 Ultra-Low VCE(sat) IGBT(VCE(sat)為1.7V的絕緣柵雙極場效應(yīng)管)
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參數(shù)描述
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IXGT50N90B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 900V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGT60N60 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 1.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGT60N60B2 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V 1.8 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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