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參數(shù)資料
| 型號： | IXGX40N60BD1 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | HiPerFAST IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）) |
| 中文描述： | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | PLUS247, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 297K |
| 代理商： | IXGX40N60BD1 |
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
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Terminals:
1 - Gate
2 - Drain (Collector)
3 - Source (Emitter)
4 - Drain (Collector)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| IXGX50N60A2D1 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:IGBT with Diode |
| IXGX50N60AU1 | 功能描述:IGBT W/DIODE 600V 75A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:HiPerFAST™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IXGX50N60AU1S | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT with Diode |
| IXGX50N60B2D1 | 功能描述:IGBT 晶體管 50 Amps 600V 2.0 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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