參數(shù)資料
型號： IXGX60N60C2D1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Fast SRAM > Late Write Synchronous SRAM; Organization (word): 512K; Organization (bit): x 36; Memory capacity (bit): 16M; Supply voltage (V): 150; Operating temperature (°C): 1.5; Package: BGA (119)
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： PLUS247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 627K
代理商： IXGX60N60C2D1
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665 6,534,343
IXGK60N60C2D1
IXGX60N60C2D1
Fig. 12. Capacitance
10
100
1000
10000
0
5
10
15
V
CE
- Volts
20
25
30
35
40
C
Cies
Coes
Cres
f = 1MHz
Fig. 11. Gate Charge
0
3
6
9
12
15
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Q
G
- nanoCoulombs
V
G
V
C E
= 300V
I
C
= 50A
I
G
= 10mA
Fig. 7. Transconductance
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
25
50
75
I
C
- Amperes
100
125
150
175
200
g
f
T
J
= -40
o
C
25
o
C
125
o
C
Fig. 8. Dependence of E
off
on R
G
0
1
2
3
4
5
6
2
4
6
8
10
12
14
16
R
G
- Ohms
E
o
-
I
C
= 75A
I
C
= 25A
T
J
= 125
o
C
V
GE
= 15V
V
CE
= 400V
I
C
= 50A
I
C
= 100A
Fig. 9. Dependence of E
off
on I
C
0
1
2
3
4
5
20
30
40
50
I
C
- Amperes
60
70
80
90
100
E
o
R
G
= 2 Ohms
R
G
= 10 Ohms - - - - -
T
J
= 125
o
C
V
G E
= 15V
V
C E
= 400V
T
J
= 25
o
C
Fig. 10. Dependence of E
off
on Temperature
0
1
2
3
4
5
25
50
T
J
- Degrees Centigrade
75
100
125
E
o
I
C
= 100A
I
C
= 50A
I
C
= 25A
V
G E
= 15V
V
C E
= 400V
R
G
= 2 Ohms
R
G
= 10 Ohms - - - - -
I
C
= 75A
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IXGX72N60A3H1 功能描述:IGBT 晶體管 75Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGX72N60B3H1 功能描述:IGBT 晶體管 72 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGX72N60C3H1 功能描述:IGBT 晶體管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 72A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGX75N250 制造商:IXYS Corporation 功能描述:IGBT 2500V 170A 780W PLUS247
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