參數(shù)資料
型號(hào)： IXSH20N60
英文描述： TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247AD
中文描述： 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國(guó)際消費(fèi)電子展| 40A條一（c）|采用TO - 247AD
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 200K
代理商： IXSH20N60
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSH20N60A TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247AD
IXSH24N60AU1S TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-263VAR
IXSH24N60U1S TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-263VAR
IXSM20N60 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-204AE
IXSM20N60A TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-204AE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXSH20N60A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247AD
IXSH20N60AU1 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT with Diode, High Speed IGBT with Diode
IXSH20N60B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 20 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH20N60U1 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT with Diode, High Speed IGBT with Diode
IXSH24N60 功能描述:IGBT 晶體管 48 Amps 600V 2.2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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