參數(shù)資料
型號(hào)： IXSH24N60A
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.7V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
中文描述： 48 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 35K
代理商： IXSH24N60A
2 - 2
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
Pulse test, t 300 s, duty cycle 2 %
= I
; V
= 10 V,
9
13
S
I
C(on)
V
GE
= 15 V, V
CE
= 10 V
65
A
C
ies
C
oes
C
res
1800
160
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
45
Q
g
Q
ge
Q
gc
75
20
35
90
30
50
nC
nC
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
100
200
450
500
275
2.0
ns
ns
ns
ns
ns
mJ
24N60
24N60A
24N60A
E
off
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
100
200
1.2
475
600
450
ns
ns
mJ
ns
ns
ns
mJ
mJ
24N60
24N60A
24N60
24N60A
E
off
4
3
R
thJC
R
thCK
0.83 K/W
0.25
K/W
Inductive load, T
J
= 125 C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, L = 100 H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 10
Remarks: Switching times
may increase for
V
(Clamp) > 0.8 V
,
higher T
J
or increased R
G
Inductive load, T
J
= 25 C
I
C
= I
, V
GE
= 15 V, L = 100 H,
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 10
Remarks: Switching times
may increase for
V
(Clamp) > 0.8 V
,
higher T
J
or increased R
G
IXSH 24N60
IXSH 24N60A
TO-247 AD (IXSH) Outline
Dim. Millimeter
Min.
Inches
Min.
Max.
Max.
A
B
19.81 20.32
20.80 21.46
0.780 0.800
0.819 0.845
C
D
15.75 16.26
3.55
0.610 0.640
0.140 0.144
3.65
E
F
4.32
5.4
5.49
6.2
0.170 0.216
0.212 0.244
G
H
1.65
2.13
4.5
0.065 0.084
-
-
0.177
J
K
1.0
10.8
1.4
11.0
0.040 0.055
0.426 0.433
L
M
4.7
0.4
5.3
0.8
0.185 0.209
0.016 0.031
N
1.5
2.49
0.087 0.102
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSH25N100A Low VCE(sat) High Speed IGBT(VCE(sat)為4.0V的高速絕緣柵雙極場(chǎng)效應(yīng)管)
IXSH25N100 Low VCE(sat) High Speed IGBT(VCE(sat)為3.5V的高速絕緣柵雙極場(chǎng)效應(yīng)管)
IXSM25N100 Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
IXSM25N100A Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
IXSH25N120AU1 IGBT with Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXSH24N60AU1 功能描述:IGBT 晶體管 48 Amps 600V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH24N60AU1S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-263VAR
IXSH24N60B 功能描述:IGBT 晶體管 48 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH24N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 48 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH24N60U1 功能描述:IGBT 晶體管 S-SERIE MED SPD IGBT FREEWHEELING 600V48A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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