參數(shù)資料
型號： IXSH30N60C
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： High Speed IGBT
中文描述： 55 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 131K
代理商： IXSH30N60C
2001 IXYS All rights reserved
V
CE
-Volts
0
5
10
15
20
25
30
35
40
C
10
100
1000
10000
T
J
- Degrees C
25
50
75
100
125
150
V
C
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
V
CE
- Volts
0
1
2
3
4
5
I
C
0
20
40
60
80
100
V
GE
- Volts
4
6
8
10
12
14
16
I
C
0
20
40
60
80
100
120
140
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10
I
C
0
40
80
120
160
200
13V
11V
9V
7V
V
CE
= 10V
T
J
= 25°C
V
GE
= 15V
T
J
= 25°C
I
C
= 15A
I
C
= 30A
I
C
= 60A
T
J
=
125°C
C
rss
f = 1Mhz
7V
5V
V
GE
= 15V
T
J
= 25°C
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10
I
C
0
20
40
60
80
100
120
T
J
= 125°C
C
iss
C
oss
V
GE
= 15V
7V
9V
11V
13V
V
GS
=15V
9V
11V
13V
Fig.3 Collector-Emitter Voltage
vs. Gate-Emitter Voltage
Fig.4 Temperature Dependence
of Output Saturation Voltage
Fig.5 Input Admittance
Fig.6 Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
Fig.1 Saturation Characteristics
Fig.2 Output Characterstics
IXSH/IXST 30N60B
IXSH/IXST 30N60C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXST30N60B High Speed IGBT
IXST30N60C High Speed IGBT
IXSH30N60CD1 Short Circuit SOA Capability
IXSK30N60CD1 Short Circuit SOA Capability
IXST30N60CD1 Short Circuit SOA Capability
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXSH30N60CD1 功能描述:IGBT 晶體管 55 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH30N60U1 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH35N100 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 35A I(C) | TO-247AD
IXSH35N100A 功能描述:IGBT 晶體管 35 Amps 1000V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH35N120A 功能描述:IGBT 晶體管 HIGH SPEED IGBT 1200V, 70A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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