參數(shù)資料
型號(hào)： IXSH45N100
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Low VCE(sat) IGBT(VCES為1000V，VCE(sat)為2.7V的絕緣柵雙極晶體管)
中文描述： 75 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 103K
代理商： IXSH45N100
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
Pulse Width - seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Z
t
0.001
0.01
0.1
1
D = Duty Cycle
Single Pulse
D=0.5
D=0.2
V
CE
- Volts
0
200
400
600
800
1000
I
0.01
0.1
1
10
100
Q
g
- nanocoulombs
0
50
100
150
200
V
G
0
3
6
9
12
15
I
C
= 45A
V
CE
= 500V
R
G
- Ohms
0
10
20
30
40
50
20
25
30
35
40
t
f
1800
2000
2200
2400
2600
t
fi
E
off
I
C
- Amperes
0
20
40
60
80
100
t
f
1500
1750
2000
2250
2500
2750
3000
0
10
20
30
40
50
60
t
fi
E
off
E
o
T
J
= 125
°
C
R
G
= 10
W
E
o
T
J
= 125
°
C
I
C
= 45A
T
J
= 125
°
C
R
G
= 2.7
W
dV/dt < 6V/ns
D=0.1
D=0.05
D=0.02
D=0.01
Fig.11 Transient Thermal Impedance
Fig.9 Gate Charge Characteristic Curve
Fig.10 Turn-Off Safe Operating Area
Fig.7 Turn-Off Energy per Pulse and
Fall Time on Collector Current
Fig.8
Dependence of Turn-Off Energy
Per Pulse and Fall Time on R
G
IXSH 45N100
IXSM 45N100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSN35N100U1 IGBT with Diode - High Short Circuit SOA Capability
IXSN35N120AU1 High Voltage IGBT with Diode
IXSN50N60BD2 High Speed IGBT with HiPerFRED(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的高速絕緣柵雙極晶體管(帶Hiper快速恢復(fù)外延型二極管))
IXSN52N60AU1 IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為3V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）)
IXSN55N120AU1 High Voltage IGBT with Diode(高電壓帶二極管的絕緣柵雙極晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXSH45N120 功能描述:IGBT 晶體管 45 Amps 1200V 3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH45N120B 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 1200V 3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH50N60B 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH50N60BS 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247SMD
IXSK30N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 55 Amps 600V 2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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