參數(shù)資料
型號： IXSH45N120
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： High Voltage, Low VCE(sat) IGBT
中文描述： 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 88K
代理商： IXSH45N120
3 - 4
2000 IXYS All rights reserved
IXSH 45N120
V
GE
- Volts
8
9
10
11
12
13
14
15
V
C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
B
(
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
BV
CES
I
C
= 3mA
V
GE(th)
I
C
= 4mA
V
GE
- Volts
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14 15
I
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
T
J
= 125
°
C
V
CE
= 10V
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
C
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
V
GE
= 15V
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I
C
0
50
100
150
200
250
300
V
GE
= 15V
T
J
= 25
°
C
9V
11V
13V
V
CE
- Volts
0
1
2
3
4
5
I
C
0
10
20
30
40
50
60
70
11V
7V
9V
T
J
= 25
°
C
V
GE
= 15V
T
J
= 25
°
C
13V
I
C
= 22.5A
I
C
= 45A
I
C
= 90A
I
C
= 22.5A
I
C
= 45A
I
C
= 90A
T
J
= 25
°
C
T
J
= - 40
°
C
Fig.3 Collector-Emitter Voltage
vs. Gate-Emitter Voltage
Fig.4 Temperature Dependence
of Output Saturation Voltage
Fig. 5 Input Admittance
Fig.6 Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
Fig.1 Saturation Characteristics
Fig.2 Output Characterstics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSH50N60B Short Circuit SOA Capability
IXSK35N120BD1 HIGH VOLTAGE IGBT WITH DIODE
IXSX35N120BD1 HIGH VOLTAGE IGBT WITH DIODE
IXSK35N120AU1 High Voltage IGBT with Diode
IXSK40N60BD1 IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.2V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXSH45N120B 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 1200V 3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH50N60B 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH50N60BS 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247SMD
IXSK30N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 55 Amps 600V 2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSK30N60CD1 功能描述:IGBT 晶體管 55 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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