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參數(shù)資料
| 型號： | IXSH50N60B |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Short Circuit SOA Capability |
| 中文描述： | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| 封裝： | TO-247AD, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 75K |
| 代理商： | IXSH50N60B |
fuvp=jlpcbqp=~=fd_q=~êé=éêé=ó=é=ê=êé==íüé=á=rKpK=é~íéíW
QIUPRIRVO
QIURMIMTO
QIUUNINMS
QIVPNIUQQ
RIMNTIRMU
RIMPQITVS
RIMQVIVSN
RIMSPIPMT
RINUTINNT
RIOPTIQUN
RIQUSITNR
RIPUNIMOR
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2 %
= I
; V
CE
= 10 V,
16
23
S
I
C(on)
V
GE
= 15 V, V
CE
= 10 V
160
A
C
ies
C
oes
C
res
3850
440
50
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
Q
g
Q
ge
Q
gc
167
45
88
nC
nC
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
E
off
70
70
ns
ns
ns
ns
mJ
150
150
3.3
300
300
6.0
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
70
70
0.6
230
230
ns
ns
mJ
ns
ns
E
off
4.8
mJ
R
thJC
R
thCK
0.5 K/W
0.25
K/W
Inductive load, T
J
= 25
°
C
I
C
= I
, V
GE
= 15 V, L = 100
μ
H,
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 2.7
Remarks: Switching times may increase
for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
Inductive load, T
J
= 125
°
C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, L = 100
μ
H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 2.7
Remarks: Switching times may increase
for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
TO-247 AD Outline
m
é
aáK
jááéíéê
jáK
füé
jáK
j~K
j~K
^
^
N
^
O
N
O
`
a
b
QKT
OKO
OKO
RKP
OKRQ
OKS
KNUR
KMUT
KMRV
KOMV
KNMO
KMVU
NKM
NKSR
OKUT
NKQ
OKNP
PKNO
KMQM
KMSR
KNNP
KMRR
KMUQ
KNOP
KQ
KU
KMNS
KUNV
KSNM
KMPN
KUQR
KSQM
OMKUM
NRKTR
ONKQS
NSKOS
é
i
iN
m
n
RKOM
NVKUN
RKTO
OMKPO
QKRM
MKOMR MKOOR
KTUM
KUMM
KNTT
PKRR
RKUV
PKSR
SKQM
KNQM
MKOPO MKORO
KNQQ
o
p
QKPO
SKNR _p`
RKQV
KNTM
OQO _p`
KONS
IXSH
50N60B
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXSK35N120BD1 | HIGH VOLTAGE IGBT WITH DIODE |
| IXSX35N120BD1 | HIGH VOLTAGE IGBT WITH DIODE |
| IXSK35N120AU1 | High Voltage IGBT with Diode |
| IXSK40N60BD1 | IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.2V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）) |
| IXSK50N60AU1 | IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.7V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXSH50N60BS | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247SMD |
| IXSK30N60BD1 | 功能描述:IGBT 晶體管 55 Amps 600V 2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXSK30N60CD1 | 功能描述:IGBT 晶體管 55 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXSK35N120AU1 | 功能描述:IGBT 晶體管 70 Amps 1200V 4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXSK35N120BD1 | 功能描述:IGBT 晶體管 70 Amps 1200V 3.6 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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