參數(shù)資料
型號(hào)： IXSK40N60BD1
英文描述： TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-264AA
中文描述： 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國(guó)際消費(fèi)電子展| 75A條一（c）|至264AA
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
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代理商： IXSK40N60BD1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSX40N60BD1 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247AD
IXSK50N60BU1 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-264AA
IXSX50N60BU1 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247VAR
IXSN30N100AU1 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 34A I(C) | SOT-227B
IXSN35N100AU1 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 80A I(C)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXSK40N60CD1 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSK50N60AU1 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSK50N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSK50N60BU1 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSK80N60B 功能描述:IGBT 晶體管 80 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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