參數(shù)資料
型號(hào)： IXSK
廠商： IXYS Corporation
英文描述： IGBT with Diode
中文描述： IGBT的與二極管
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 55K
代理商： IXSK
2 - 2
2000 IXYS All rights reserved
IXSK 40N60CD1
IXSX 40N60CD1
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
Pulse test, t 300 s, duty cycle 2 %
= I
; V
= 10 V,
16
23
S
C
iss
C
oss
C
rss
3700
440
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
60
Q
g
Q
ge
Q
gc
190
45
88
nC
nC
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
E
off
50
50
70
70
1.0
ns
ns
ns
ns
mJ
140
120
1.7
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
50
50
2.2
140
140
ns
ns
mJ
ns
ns
E
off
1.7
mJ
R
thJC
R
thCK
0.48 K/W
0.15
K/W
Reverse Diode (FRED)
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
V
F
I
= I
, V
= 0 V,
Pulse test, t 300 s, duty cycle d 2 %
1.8
V
I
RM
t
rr
I
F
= I
, V
GE
= 0 V, -di
F
/dt = 100 A/ s
V
= 100 V
I
F
= 1 A; -di/dt = 200 A/ s; V
R
= 30 V
2
2.5
A
35
ns
R
thJC
0.75 K/W
Inductive load, T
J
= 25 C
I
C
= I
, V
GE
= 15 V, L = 100 H,
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 2.7
Remarks: Switching times may increase
for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
Inductive load, T
J
= 125 C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, L = 100 H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 2.7
Remarks: Switching times may increase
for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
Millimeter
Min.
4.82
2.54
2.00
1.12
2.39
2.90
0.53
25.91
19.81
5.46 BSC
0.00
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
1.78
6.04
1.57
Inches
Max.
5.13
2.89
2.10
1.42
2.69
3.09
0.83
26.16
19.96
Min.
.190
.100
.079
.044
.094
.114
.021
1.020
.780
Max.
.202
.114
.083
.056
.106
.122
.033
1.030
.786
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
.215 BSC
.000
.000
.800
.090
.125
.239
.330
.150
.070
.238
.062
0.25
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
6.30
1.83
.010
.010
.820
.102
.144
.247
.342
.170
.090
.248
.072
Dim.
TO-264 AA Outline
PLUS247
TM
(IXSX)
Dim.
Millimeter
Min.
4.83
2.29
1.91
1.14
1.91
2.92
0.61
20.80
15.75
e 5.45 BSC
L
19.81
L1
3.81
Q
5.59
R
4.32
Inches
Min. Max.
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 .244
.170 .190
Max.
5.21
2.54
2.16
1.40
2.13
3.12
0.80
21.34
16.13
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
20.32
4.32
6.20
4.83
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSK40N60CD1 IGBT with Diode
IXSX IGBT with Diode
IXSX40N60CD1 IGBT with Diode
IXSM40N60A Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
IXSH40N60A Low VCE(sat) High Speed IGBT(VCE(sat)為3.0V的高速絕緣柵雙極場(chǎng)效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXSK30N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 55 Amps 600V 2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSK30N60CD1 功能描述:IGBT 晶體管 55 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSK35N120AU1 功能描述:IGBT 晶體管 70 Amps 1200V 4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSK35N120BD1 功能描述:IGBT 晶體管 70 Amps 1200V 3.6 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSK40N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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