參數(shù)資料
型號： IXSM45N100
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Low VCE(sat) IGBT - Short Circuit SOA Capability
中文描述： 75 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-204AE
封裝： TO-204AE, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 103K
代理商： IXSM45N100
3 - 4
2000 IXYS All rights reserved
V
GE
- Volts
8
9
10
11
12
13
14
15
V
C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
B
(
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
BV
CES
I
C
= 3mA
V
GE(th)
I
C
= 4mA
V
GE
- Volts
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14 15
I
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
T
J
= 125
°
C
V
CE
= 10V
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
V
C
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
V
GE
= 15V
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I
C
0
50
100
150
200
250
300
V
GE
= 15V
T
J
= 25
°
C
9V
11V
13V
V
CE
- Volts
0
1
2
3
4
5
I
C
0
10
20
30
40
50
60
70
11V
7V
9V
T
J
= 25
°
C
V
GE
= 15V
T
J
= 25
°
C
13V
I
C
= 22.5A
I
C
= 45A
I
C
= 90A
I
C
= 22.5A
I
C
= 45A
I
C
= 90A
T
J
= 25
°
C
T
J
= - 40
°
C
Fig.3
Collector-Emitter Voltage
vs. Gate-Emitter Voltage
Fig.4 Temperature Dependence
of Output Saturation Voltage
Fig.5 Input Admittance
Fig.6 Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
Fig.1
Saturation Characteristics
Fig.2 Output Characterstics
IXSH 45N100
IXSM 45N100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSH45N100 Low VCE(sat) IGBT(VCES為1000V，VCE(sat)為2.7V的絕緣柵雙極晶體管)
IXSN35N100U1 IGBT with Diode - High Short Circuit SOA Capability
IXSN35N120AU1 High Voltage IGBT with Diode
IXSN50N60BD2 High Speed IGBT with HiPerFRED(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的高速絕緣柵雙極晶體管(帶Hiper快速恢復(fù)外延型二極管))
IXSN52N60AU1 IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為3V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXSN30N100AU1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 34A I(C) | SOT-227B
IXSN35N100AU1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 80A I(C)
IXSN35N100U1 功能描述:IGBT 晶體管 35 Amps 1000V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSN35N120AU1 功能描述:IGBT 晶體管 35 Amps 1200V 4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSN40N60AU1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 45A I(C) | SOT-227B
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*