參數(shù)資料
型號(hào)： IXST30N60C
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Speed IGBT
中文描述： 55 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-268AA
封裝： TO-268, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大小： 131K
代理商： IXST30N60C
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pulse Width - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Z
t
0.001
0.01
0.1
1
D=0.2
D=0.1
D=0.05
V
CE
- Volts
0
100
200
300
400
500
600
I
C
0.1
1
10
100
Q
g
- nanocoulombs
0
25
50
75
100
125
V
G
0
3
6
9
12
15
R
G
- Ohms
0
10
20
30
40
50
E
(
0
2
4
6
8
E
(
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
T
J
= 125°C
I
C
- Amperes
0
20
40
60
80
E
(
0.0
2.5
5.0
7.5
E
(
0.0
0.5
1.0
1.5
V
CE
= 300V
I
C
= 30A
I
C
=30A
E
(ON)
E
(OFF)
E
(OFF)
E
(OFF)
T
J
= 125°C
R
G
= 4.7
dV/dt < 5V/ns
D=0.5
D=0.02
D=0.01
Single pulse
D = Duty Cycle
R
G
= 10
T
J
= 125°C
I
C
= 60A
I
C
= 15A
E
(OFF)
E
(ON)
E
(ON)
E
(ON)
Fig.11 Transient Thermal Impedance
Fig.9 Gate Charge Characteristic Curve
Fig.10 Turn-Off Safe Operating Area
Fig.7 Turn-Off Energy per Pulse and
Fall Time on Collector Current
Fig.8 Dependence of Turn-Off Energy
Per Pulse and Fall Time on R
G
IXSH/IXST 30N60B
IXSH/IXST 30N60C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSH30N60CD1 Short Circuit SOA Capability
IXSK30N60CD1 Short Circuit SOA Capability
IXST30N60CD1 Short Circuit SOA Capability
IXSK30N60BD1 High Speed IGBT with Diode
IXST30N60BD1 High Speed IGBT with Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXST30N60CD1 功能描述:IGBT 晶體管 55 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXST35N120B 功能描述:IGBT 晶體管 70 Amps 1200V 3.6 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXST40N60B 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXST40N60B2D1 功能描述:IGBT HS W/DIODE 600V 48A TO268 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IXST45N120B 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 1200V 3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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