參數(shù)資料
型號(hào)： IXST35N120B
廠商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT
中文描述： 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-268AA
封裝： D3PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 82K
代理商： IXST35N120B
2002 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
CES
V
CGR
V
GES
V
GEM
I
C25
I
C90
I
CM
SSOA
(RBSOA)
T
J
= 25
°
C to 150
°
C
T
J
= 25
°
C to 150
°
C; R
GE
= 1 M
1200
V
1200
V
Continuous
±
20
±
30
V
Transient
V
T
C
= 25
°
C
T
C
= 90
°
C
T
C
= 25
°
C, 1 ms
V
GE
= 15 V, T
J
= 125
°
C, R
G
= 5
Clamped inductive load
70
A
35
A
140
A
I
CM
= 90
@ 0.8 V
CES
A
t
SC
T
J
= 125
°
C, V
CE
= 720 V; V
GE
= 15 V, R
G
= 22
10
μ
s
P
C
T
J
T
JM
T
stg
M
d
T
C
= 25
°
C
300
W
-55 ... +150
°
C
°
C
°
C
150
-55 ... +150
Mounting torque
(TO-247)
1.13/10 Nm/lb.in.
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
300
°
C
Weight
TO-247
TO-268
6
4
g
g
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
BV
CES
V
GE(th)
I
C
= 1.0 mA, V
GE
= 0 V
= 250
μ
A, V
CE
= V
GE
1200
V
I
C
3
6
V
I
CES
V
CE
= 0.8 V
CES
Note 1
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
50
2.5
μ
A
mA
I
GES
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±
20 V
±
100
nA
V
CE(sat)
I
C
Note 2
= I
C90,
V
GE
= 15 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
3.6
2.9
V
V
Features
Epitaxial Silicon drift region
- fast switching
- small tail current
MOS gate turn-on for drive simplicity
Applications
AC motor speed control
DC servo and robot drives
Uninterruptible power supplies (UPS)
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
DC choppers
98669B (01/02)
G = Gate
E = Emitter
C = Collector
TAB = Collector
TO-247 AD (IXSH)
(TAB)
TO-268 ( IXST)
(TAB)
G
E
IXSH 35N120B
IXST 35N120B
I
C25
V
CES
V
CE(sat)
= 70 A
= 1200 V
= 3.6 V
"S" Series - Improved SCSOA Capability
IGBT
G
C
E
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSH35N135A High Voltage,High Speed IGBT(VCES為1350V的高電壓高速絕緣柵雙極晶體管)
IXSH35N140A High Voltage,High Speed IGBT(VCES為1400V的高電壓高速絕緣柵雙極晶體管)
IXSH40N60 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-5015; Body Material:Metal; Series:GT; No. of Contacts:6; Connector Shell Size:28; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Right Angle Plug; Body Style:Right Angle
IXSH40N60B Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-5015; Body Material:Metal; Series:GT; No. of Contacts:54; Connector Shell Size:32; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Right Angle Plug; Body Style:Right Angle
IXST40N60B OSC 5V SMT PLAS 14X9 CMOS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXST40N60B 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXST40N60B2D1 功能描述:IGBT HS W/DIODE 600V 48A TO268 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IXST45N120B 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 1200V 3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSX35N120AU1 制造商:IXYS 制造商全稱(chēng):IXYS Corporation 功能描述:High Voltage IGBT with Diode
IXSX35N120AU1S 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 70A I(C) | TO-247SMD
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