參數(shù)資料
型號(hào): IXSX40N60BD1
英文描述: TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247AD
中文描述: 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五(巴西)國(guó)際消費(fèi)電子展| 75A條一(c)|采用TO - 247AD
文件頁(yè)數(shù): 2/2頁(yè)
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代理商: IXSX40N60BD1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSK50N60BU1 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-264AA
IXSX50N60BU1 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247VAR
IXSN30N100AU1 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 34A I(C) | SOT-227B
IXSN35N100AU1 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 80A I(C)
IXSN40N60AU1 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 45A I(C) | SOT-227B
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXSX40N60CD1 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSX50N60AU1 功能描述:IGBT 75A 600V PLUS247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開(kāi)):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IXSX50N60AU1S 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:IGBT with Diode Combi Pack - Short Circuit SOA Capability
IXSX50N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSX50N60BU1 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube