參數(shù)資料
型號(hào)： IXTB30N100L
廠(chǎng)商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： Power MOSFETs with Extended FBSOA
中文描述： 30 A, 1000 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, PLUS264, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 105K
代理商： IXTB30N100L
2006 IXYS All rights reserved
IXTB 30N100L
IXTN 30N100L
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DS
- Volts
I
D
V
GS
= 20V
16V
14V
12V
9V
8V
10V
7V
6V
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
0
10
20
30
40
50
60
70
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
- Volts
I
D
VGS =
20V
16V
12V
9V
10V
8V
7V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
0
3
6
9
V
DS
- Volts
12
15
18
21
24
I
D
V
GS
= 20V
14V
12V
10V
7V
9V
8V
6V
Fig. 4. R
DS(on)
Normalized to I
D
= 32A Value
vs. Junction Temperature
0.4
0.7
1
1.3
1.6
1.9
2.2
2.5
2.8
3.1
-50
-25
0
T
J
- Degrees Centigrade
25
50
75
100
125
150
R
D
V
GS
= 20V
I
D
= 30A
I
D
= 15A
Fig. 5. R
DS(on)
Normalized to 0.5 I
D25
Value
vs. Drain Current
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
2.8
0
10
20
30
40
50
60
70
I
D
- Amperes
R
D
V
GS
= 20V
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
33
-50
-25
0
T
J
- Degrees Centigrade
25
50
75
100
125
150
I
D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTN30N100L Power MOSFETs with Extended FBSOA
IXTC13N50 Power MOSFET ISOPLUS220
IXTC26N50P PolarHV Power MOSFET
IXTH10N100 N-Channel Enhancement Mode MegaMOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導(dǎo)通電阻1.20Ω的N溝道增強(qiáng)型MegaMOSFET)
IXTM10N100 MegaMOS FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTB62N50L 功能描述:MOSFET 62 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTC102N20T 功能描述:MOSFET 102 Amps 200V 22 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTC102N25T 功能描述:MOSFET 102 Amps 250V 29 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTC110N25T 功能描述:MOSFET 110 Amps 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTC130N15T 功能描述:MOSFET 130 Amps 150V 12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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