參數(shù)資料
型號： IXTC13N50
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Power MOSFET ISOPLUS220
中文描述： 12 A, 500 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ISOPLUS220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 80K
代理商： IXTC13N50
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 0; I
T
Notes 1, 2
7.5
9.0
S
C
iss
C
oss
C
rss
2800
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
300
pF
70
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
18
30
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
,
I
D
= 0.5 I
D25
, R
G
= 4.7
(External)
27
40
ns
76
100
ns
32
60
ns
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
110
120
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
T
15
25
nC
40
50
nC
R
thJC
R
thCK
0.90
K/W
0.30
K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
13
A
I
SM
Repetitive; pulse width limited by T
JM
52
A
V
SD
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
Note 1
1.5
V
t
rr
600
ns
I
F
= I
S
-di/dt = 100 A/
μ
s,
V
R
= 100 V
Note: All terminals are solder plated.
1 - Gate
2 - Drain
3 - Source
ISOPLUS220 OUTLINE
Note: 1. Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
2. I
T
test current:
3. See IXTH12N50A data sheet for characteristic curves.
I
T
= 6.5A
IXTC 13N50
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTC26N50P PolarHV Power MOSFET
IXTH10N100 N-Channel Enhancement Mode MegaMOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導(dǎo)通電阻1.20Ω的N溝道增強(qiáng)型MegaMOSFET)
IXTM10N100 MegaMOS FET
IXTH12N100 N-Channel Enhancement Mode MegaMOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導(dǎo)通電阻1.05Ω的N溝道增強(qiáng)型MegaMOSFET)
IXTH10P50 P-Channel Enhancement Mode Standard Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓-500V,導(dǎo)通電阻0.90Ω的P溝道增強(qiáng)型標(biāo)準(zhǔn)功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTC160N085T 功能描述:MOSFET 160 Amps 85V 0.006 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTC160N10T 功能描述:MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTC180N055T 功能描述:MOSFET 180 Amps 55V 0.004 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTC180N085T 功能描述:MOSFET 180 Amps 85V 5.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTC180N10T 功能描述:MOSFET MOSFET Id100 BVdass100 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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