型號: | IXTH10P50 |
廠商: | IXYS CORP |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | P-Channel Enhancement Mode Standard Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓-500V,導(dǎo)通電阻0.90Ω的P溝道增強(qiáng)型標(biāo)準(zhǔn)功率MOSFET) |
中文描述: | 10 A, 500 V, 0.9 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
封裝: | TO-247AD, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 2/2頁 |
文件大?。?/td> | 41K |
代理商: | IXTH10P50 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IXTH10P60 | Standard Power MOSFET |
IXTH11N80 | MegaMOSFET |
IXTH13N80 | MegaMOSFET |
IXTM11N80 | MegaMOSFET |
IXTM13N80 | MegaMOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IXTH10P50P | 功能描述:MOSFET -10.0 Amps -500V 1.000 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXTH10P60 | 功能描述:MOSFET -10 Amps -600V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXTH110N10L2 | 功能描述:MOSFET L2 Linear Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXTH110N25T | 功能描述:MOSFET 110 Amps 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXTH11N100 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-218VAR |