型號(hào): | IXTH21N50 |
廠(chǎng)商: | IXYS CORP |
元件分類(lèi): | 功率晶體管 |
英文描述: | MegaMOSFET |
中文描述: | 21 A, 500 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
封裝: | TO-247AD, 3 PIN |
文件頁(yè)數(shù): | 4/4頁(yè) |
文件大?。?/td> | 107K |
代理商: | IXTH21N50 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IXTM21N50 | MegaMOSFET |
IXTM24N50 | MegaMOSFET |
IXTH24P20 | Standard Power MOSFET |
IXTH24N50 | MegaMOSFET |
IXTH30N45 | N-Channel Enhancement Mode MegaMOSFET(最大漏源擊穿電壓450V,導(dǎo)通電阻0.16Ω的N溝道增強(qiáng)型MegaMOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IXTH21N55 | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-218VAR |
IXTH21N60 | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-218VAR |
IXTH220N055T | 功能描述:MOSFET 220 Amps 55V 3.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXTH220N075T | 功能描述:MOSFET 220 Amps 75V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXTH22N50P | 功能描述:MOSFET 22 Amps 500V 0.27 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |