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參數(shù)資料
| 型號： | IXTM10N100 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | MegaMOS FET |
| 中文描述： | 10 A, 1000 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
| 封裝： | TO-204AA, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 106K |
| 代理商： | IXTM10N100 |
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
IXTH
10
N100
IXTM
10
N100
IXTH
12
N100
IXTM
12
N100
Fig.7
Gate Charge Characteristic Curve
Fig.8 Forward Bias Safe Operating Area
Fig.11 Transient Thermal Impedance
Fig.9 Capacitance Curves
Fig.10 Source Current vs. Source
to Drain Voltage
V
DS
- Volts
1
10
100
1000
I
D
0.1
1
10
Gate Charge - nCoulombs
0
25
50
75
100
125
150
V
G
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
SD
- Volts
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
D
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
C
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
Time - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.001
0.01
0.1
1
D=0.5
C
rss
C
oss
10μs
100μs
1ms
10ms
100ms
C
iss
Limited by R
DS(on)
V
DS
= 500V
I
D
= 6A
I
G
= 10mA
Single Pulse
f = 1MHz
V
DS
= 25V
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
D=0.2
D=0.1
D=0.05
D=0.01
D=0.02
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH12N100 | N-Channel Enhancement Mode MegaMOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導(dǎo)通電阻1.05Ω的N溝道增強型MegaMOSFET) |
| IXTH10P50 | P-Channel Enhancement Mode Standard Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓-500V,導(dǎo)通電阻0.90Ω的P溝道增強型標(biāo)準(zhǔn)功率MOSFET) |
| IXTH10P60 | Standard Power MOSFET |
| IXTH11N80 | MegaMOSFET |
| IXTH13N80 | MegaMOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXTM10N60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-204AC |
| IXTM10N60A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-204AC |
| IXTM10N80 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-3 |
| IXTM10N90 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-3 |
| IXTM10N95 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-3 |
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